[发明专利]溶胶凝胶涂布的支撑环

说明书

描述了一种用于热处理腔室的支撑构件。所述支撑构件于至少一个表面上具有溶胶涂层。所述溶胶涂层含有阻挡预期波长或光谱的辐射的材料，使得所述辐射无法透过所述支撑构件的材料。所述溶胶涂层可为多层结构，除了辐射阻挡层以外，所述多层结构可还包含粘接层、过渡层与覆盖层。

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的方法和装置。更特定地，涉及一种用于热处理半导体基板的方法和装置。

背景技术

热处理在半导体工业中是常见的。热处理被用于激活半导体基板中的化学与物理变化，以重新组织基板的原子结构与成分。在一种被称为快速热处理(Rapid ThermalProcessing)的常用方式中，基板以高达400℃/秒的速率被加热至目标温度，保持在该目标温度达一短时间(比如1秒)，然后再快速冷却至不会发生进一步变化的温度下。

为了促进基板上所有区域的均匀处理，一般会布设温度传感器，以监测基板的不同位置处的温度。高温计被广泛地用来测量基板的温度。基板温度的控制与测量以及因此的局部层形成条件的控制与测量，都会因腔室部件的热吸收与光发射、以及传感器与腔室表面对处理腔室内的处理条件的暴露而变得复杂。仍需要有一种具有改进的温度控制、温度测量的热处理腔室，以及这种腔室的操作方法，以提高均匀性和可重复性。

发明内容

本文中所描述的实施方式涉及一种用于热处理腔室的支撑构件，所述支撑构件具有主体与溶胶涂层，所述主体包括硅氧化物，所述主体具有面向辐射侧与非面向辐射侧，所述溶胶涂层在至少所述非面向辐射侧上。所述溶胶涂层可具有二氧化硅(silica)层、硅层与覆盖层。此层结构可具有渐变成分(graded composition)，且可具有一或多层过渡层。也可对支撑构件的其他表面施加溶胶涂层。

附图说明

为能使上述记载特征可被详细理解，可通过参照实施方式获得更为特定的描述，一些实施方式被描述于附图中。然而，应注意的是，附图仅示出典型实施方式，因此不应被视为对范围的限制，因为其他实施方式也是等同有效的。

图1为快速热处理(RTP)腔室的一个实施方式的简化等距视图，所述RTP腔室具有根据一实施方式的支撑环。

图2为根据另一实施方式的支撑环的截面图。

图3是根据另一实施方式的支撑构件的截面图。

为帮助理解，已尽可能使用相同的标号来表示各图共用的相同元件。应理解在一个实施方式中所揭露的元件可有利地用于其他实施方式，而无需特别详述。

具体实施方式

图1是快速热处理腔室100的一个实施方式的简化等距视图。可被应用而自本发明得利的快速热处理腔室的实例为VULCAN^TM与热处理系统，这两者都可从位于加州圣克拉拉市的应用材料公司获得。虽然所述装置被描述为使用于快速热处理腔室中，但本文所述的实施方式亦可用于在一个处理区域中需要至少两个温度区的其他处理系统及装置中，比如适用于机械手切换的基板支撑平台、定向装置、沉积腔室、蚀刻腔室、电化学处理装置与化学机械抛光装置等，特别是在需要使粒状物产生减至最低限度者。

处理腔室100包含无接触式或磁性悬浮基板支撑件104、腔室主体102，腔室主体102具有界定内部空间120的壁部108、底部110与顶部112。壁部108一般包含至少一个基板进出口148，以便于基板140的进出(图1中显示了基板140的一部分)。进出口可耦接至移送腔室(未示)或负载锁定腔室(load lock chamber)(未示)，且可选择性地由阀密封，比如狭缝阀(未示)。在一个实施方式中，基板支撑件104为环形，且腔室100包含设于基板支撑件104内径中的辐射加热源106。