[发明专利]晶体管阵列布线有效
申请号: | 201480055851.4 | 申请日: | 2014-10-07 |
公开(公告)号: | CN105659384B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | S·里德尔 | 申请(专利权)人: | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 阵列 布线 | ||
一种包含晶体管阵列的装置,其中该装置包括:在第一层级的第一导体层,第一导体层限定了为所述晶体管阵列提供源电极或栅电极中的一个的多个第一导体;在第二层级的第二导体层,第二导体层限定了为所述晶体管阵列提供源电极或栅电极中的另一个的多个第二导体;其中该第二导体层还限定了在所述第二导体之间的一个或多个位置处的布线导体,每个布线导体通过一个或多个层间导电连接连接到相应的第一导体。
晶体管阵列典型地包括为晶体管提供源电极的源极导体阵列、为晶体管提供漏电极的漏极导体阵列和为晶体管提供栅电极的栅极导体阵列。
一种用于连接该源极导体和栅极导体至一个或多个驱动器芯片的相应输出端子的技术涉及在该阵列的一个边缘终止该源极导体以及在该阵列的另一个边缘终止该栅极导体,以及(a)在该阵列的相应边缘提供分开的源极驱动器芯片和栅极驱动器芯片,或者在该阵列的共用边缘提供源极和栅极驱动器芯片并且提供围绕该阵列的两个边缘延伸至栅极或源极的导电轨,该栅极导体或源极导体终止于与该驱动器芯片所位于的边缘不同的该阵列的边缘。
本申请的发明人已认识到以下挑战:改进源极/栅极导体至一个或多个驱动器芯片的布线(routing)。
在此提供一种包含晶体管阵列的装置,其中该装置包括:在第一层级的第一导体层,其限定了为所述晶体管阵列提供源电极或栅电极中的一个的多个第一导体;在第二层级的第二导体层,其限定了为所述晶体管阵列提供源电极或栅电极中的另一个的多个第二导体;其中所述第二导体层还限定了在所述第二导体之间的一个或多个位置处的布线导体,每个布线导体通过一个或多个层间导电连接连接到相应的第一导体。
根据一个实施例,第一导体为该晶体管阵列提供源电极,且第二导体为该晶体管阵列提供栅电极。
根据一个实施例,每个第一导体与该晶体管阵列的相应的一个或多个列相关联,且每个第二导体与该晶体管阵列的相应的一个或多个行相关联。
根据一个实施例,第一导体为该晶体管阵列提供栅电极,而第二导体为该晶体管阵列提供源电极。
根据一个实施例,所述第二导体和所述布线导体终止于该晶体管阵列的共用侧。
根据一个实施例,该方法还包括在该晶体管的该共用侧处的驱动器芯片,所述驱动器芯片包括源极输出端子和栅极输出端子,其中源极输出端子和栅极输出端子的顺序与该晶体管阵列的该共用侧处的第二导体和布线导体的顺序相匹配。
根据一个实施例,该第一层级在该第二层级之下。
根据一个实施例,所述层间导电连接形成均匀的层间连接阵列的一部分,该均匀的层间连接阵列还包括未连接到任何第一导体的层间连接。
参考附图,仅通过非限制性的示例在下文描述本发明的一个实施例,所述附图中:
图1是TFT阵列的栅极导体和源极导体的配置示例的平面示意图;以及
图2是TFT阵列的栅极导体和源极导体的配置示例的截面示意图。
出于简明的目的,图1和图2例示了小的4×4薄膜晶体管(TFT)阵列的栅极导体和源极导体的配置示例;但相同类型的配置可应用于更大的晶体管阵列,例如包含超过一百万个晶体管的晶体管阵列。图中所例示的装置可以在本发明的范围内进行修改,其修改方式的其他示例在说明书的末尾说明。
在支撑衬底30上提供第一图案化导体层。该支撑衬底30例如可包括塑料膜和形成于该塑料膜和该第一导体层之间的平坦化层以及一个或多个其它的功能层(例如导体层和/或绝缘体层),所述功能层在该塑料膜和该平坦化层之间,和/或在该平坦化层和该第一图案化导体层之间,和/或在该塑料膜的与该平坦化层相对的一侧。
该第一图案化导体层被图案化以限定(i)源极导体2a、2b、2c、2d的阵列,在该示例中每个源极导体为相应的晶体管列提供源电极;以及漏极导体8的阵列,每个漏极导体为相应的晶体管提供漏电极。第一图案化导体层的此图案化可以例如通过光刻技术来实现。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的