[发明专利]透明基材的层系统以及用于制造层系统的方法

权利要求书

1.透明基材（100）的反射红外辐射的层系统，包括按以下顺序布置的：

布置在该透明基材（100）上的第一介电层（D1），

布置在该第一介电层（D1）上的第二介电层（D2），

第一金属层系统（MS1），按以下顺序包括：

第一金属层（M1），优选由Ag构成或包括Ag，

第一阻断剂层（B1），

介电阻挡覆盖层系统（BDS），

其特征在于，

所述第一介电层（D1）由SiO₂构成或者包括SiO₂且所述第二介电层（D2）由TiO₂或Al₂O₃构成或者包括TiO₂或Al₂O₃，或者所述第一介电层（D1）由Al₂O₃构成或包括Al₂O₃且所述第二介电层（D2）由TiO₂构成或包括TiO₂。

2.如权利要求1所述的层系统，其特征在于，所述第一金属层（M1）布置在位于第二介电层（D2）与第一金属层（M1）之间的第一晶种层（S1）上。

3.如权利要求2所述的层系统，其特征在于，所述第一晶种层（S1）由AZO、NiCrO_x、TiO_x或Ti构成，或者包括上述元素。

4.如前述权利要求任一项所述的层系统，其特征在于，所述第一阻断剂层（B1）布置在第一金属层（M1）上。

5.如前述权利要求任一项所述的层系统，其特征在于，所述第一阻断剂层（B1）由NiCrO_x、NiCr、TiO_x、Ti、ZnOx:Al或AZO构成，或者包括上述元素。

6.如前述权利要求任一项所述的层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统（BDS）布置在第一阻断剂层（B1）上。

7.如前述权利要求任一项所述的层系统，其特征在于，设置第二金属层系统（MS2），按以下顺序包括：

第三介电层（D3），

第二晶种层（S2），

第二金属层（M2），优选由Ag构成或包括Ag，

第二阻断剂层（B2），

其中，第二金属层系统（MS2）布置在第一金属层系统（MS1）的第一阻断剂层（B1）与介电阻挡覆盖层系统（BDS）之间。

8.如权利要求7所述的层系统，其特征在于，所述第二金属层（M2）布置在第二晶种层（S2）上且所述第二晶种层（S2）布置在第三介电层（D3）上。

9.如权利要求7或8任一项所述的层系统，其特征在于，设置第三金属层系统（MS3），按以下顺序包括：

第四介电层（D4），

第三晶种层（S3），

第三金属层（M3），优选由Ag构成或包括Ag，

第三阻断剂层（B3），

其中，第三金属层系统（MS3）布置在第二阻断剂层（B2）与介电阻挡覆盖层系统（BDS）之间。

10.如权利要求9所述的层系统，其特征在于，所述第三金属层（M3）布置在第三晶种层（S3）上且所述第三晶种层（S3）布置在第四介电层（D4）上。

11.如权利要求7至10任一项所述的层系统，其特征在于，所述第三介电层（D3）或第四介电层（D4）由TiO₂、AlN或Al₂O₃构成或者具有上述元素。

12.如权利要求7至11任一项所述的层系统，其特征在于，所述第二晶种层（S2）或第三晶种层（S3）由AZO、NiCrO_x、TiO_x或Ti构成，或者具有上述元素。

13.如权利要求7至12任一项所述的层系统，其特征在于，所述第二阻断剂层（B2）或第三阻断剂层（B3）由NiCrO_x、NiCr、TiO_x、Ti、ZnOx:Al或AZO构成，或者具有上述元素。