[发明专利]层叠型压电陶瓷电子部件及层叠型压电陶瓷电子部件的制造方法有效
申请号: | 201480053485.9 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN105593190B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 石井秀树;川田慎一郎;林裕之;奥泽匡;铃木祥一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L41/083 | 分类号: | H01L41/083 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 张玉玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 压电 陶瓷 电子 部件 制造 方法 | ||
1.一种层叠型压电陶瓷电子部件,其特征在于,是具有将以Ni为主成分的内部电极和压电陶瓷层交替层叠并在还原性气氛中烧结而成的层叠烧结体的层叠型压电陶瓷电子部件,
所述压电陶瓷层含有包含Nb、K、Na及Li的钙钛矿型化合物作为主成分,并且包含选自Nd及Dy中的至少一种元素M1和选自Ga及Al中的至少一种元素M2,
在进行溶解处理而使其溶解的情况下,所述元素M2的含量相对于所述Nb 1摩尔份为0.002摩尔份以上且0.071摩尔份以下。
2.一种层叠型压电陶瓷电子部件,其特征在于,是具有将以Ni为主成分的内部电极和压电陶瓷层交替层叠并在还原性气氛中烧结而成的层叠烧结体的层叠型压电陶瓷电子部件,
所述压电陶瓷层含有包含Nb、K、Na及Li的钙钛矿型化合物作为主成分,并且包含选自Nd及Dy中的至少一种元素M1和选自Ga及Al中的至少一种元素M2,
所述元素M2的含量相对于所述Nb 1摩尔份为0.002摩尔份以上且0.071摩尔份以下。
3.一种层叠型压电陶瓷电子部件,其特征在于,是具有将以Ni为主成分的内部电极和压电陶瓷层交替层叠并在还原性气氛中烧结而成的层叠烧结体的层叠型压电陶瓷电子部件,
所述层叠烧结体含有包含Nb、K、Na及Li的钙钛矿型化合物作为主成分,并且包含选自Nd及Dy中的至少一种元素M1和选自Ga及Al中的至少一种元素M2,
所述元素M2的含量相对于所述Nb 1摩尔份为0.002摩尔份以上且0.071摩尔份以下。
4.一种层叠型压电陶瓷电子部件,其特征在于,是具有将以Ni为主成分的内部电极和压电陶瓷层交替层叠并在还原性气氛中烧结而成的层叠烧结体、并且在该层叠烧结体的表面形成有外部电极的层叠型压电陶瓷电子部件,
含有包含Nb、K、Na及Li的钙钛矿型化合物作为主成分,并且包含选自Nd及Dy中的至少一种元素M1和选自Ga及Al中的至少一种元素M2,
所述元素M2的含量相对于所述Nb 1摩尔份为0.002摩尔份以上且0.071摩尔份以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的层叠型压电陶瓷电子部件,其特征在于,所述元素M1的含量相对于所述Nb 1摩尔份为0.002摩尔份以上且0.071摩尔份以下。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的层叠型压电陶瓷电子部件,其特征在于,所述压电陶瓷层含有Mn,并且
所述Mn的含量相对于所述Nb 1摩尔份为0.154摩尔份以下。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的层叠型压电陶瓷电子部件,其特征在于,所述压电陶瓷层含有Ba,并且
所述Ba的含量相对于所述Nb 1摩尔份为0.063摩尔份以下。
8.根据权利要求1~4中任一项所述的层叠型压电陶瓷电子部件,其特征在于,所述压电陶瓷层含有Zr,并且
所述Zr的含量相对于所述Nb 1摩尔份为0.088摩尔份以下。
9.一种层叠型压电陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,包括:
称量工序,准备包含Na化合物、K化合物、Li化合物、Nb化合物、选自Nd化合物及Dy化合物中的至少一种化合物、以及选自Ga化合物及Al化合物中的至少一种化合物的陶瓷素原料,并称量所述各陶瓷素原料以使Ga及Al中的至少一种元素在烧成后相对于Nb 1摩尔份达到0.002摩尔份以上且0.071摩尔份以下;
生片制作工序,以所述陶瓷素原料作为起始原料制作陶瓷生片;
导电膜形成工序,将以Ni为主成分的导电性糊剂涂布于所述陶瓷生片,形成规定图案的导电膜;
成形工序,按照规定顺序层叠形成有导电膜的陶瓷生片,制作层叠成形体;和
烧成工序,对所述层叠成形体进行烧成,制作层叠烧结体,
所述烧成工序中,在抑制所述导电膜的氧化的还原性气氛中进行所述陶瓷生片与所述导电性糊剂的共烧成。
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