[发明专利]半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，

其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂，以此形成无腔结构，

其中，所述半导体器件还包括：

电极部，所述电极部用于将所述像素信号输出至所述半导体器件的外部；

第一贯通电极，所述第一贯通电极贯穿所述第二半导体基板且电连接至所述第二半导体基板的配线层；

第二贯通电极，所述第二贯通电极贯穿所述第二半导体基板以及所述第二半导体基板的所述配线层且电连接至所述第一半导体基板的配线层；

连接配线，所述连接配线形成在所述第二半导体基板的下侧上并且将所述第一贯通电极电连接至所述第二贯通电极，和

重新配线，所述重新配线将所述电极部电连接至所述连接配线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板的层叠结构包括彼此接触的所述第一半导体基板的所述配线层和所述第二半导体基板的所述配线层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在形成有所述第二半导体基板的所述电极部的表面上形成有焊接掩模，并且所述焊接掩模不被形成在形成有所述电极部的区域内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在形成有所述第二半导体基板的所述电极部的表面上形成有绝缘膜，并且所述绝缘膜不被形成在形成有所述电极部的区域内。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体基板的所述配线层与所述第二半导体基板的所述配线层通过所述配线层中的一者或多者的金属接合而被连接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

虚拟配线，所述虚拟配线在与所述重新配线相同的层中不与任何配线层电连接。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

连接导体，所述连接导体将所述重新配线连接至所述连接配线。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被构造为使得两者的配线层彼此面对。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被构造为所述第一半导体基板的配线层侧面对着所述第二半导体基板的与配线层侧相反的表面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电极部安装在形成于所述重新配线上的焊盘部上。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述重新配线的外部形成有阻挡金属膜，所述阻挡金属膜减少与所述电极部的材料的反应。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述重新配线的至少一部分形成于所述第二半导体基板的凹槽内。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，形成有配线层的第三半导体基板被插入在所述第一半导体基板与所述第二半导体基板之间以使所述半导体器件包括三层半导体基板。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第三半导体基板被插入在所述第一半导体基板与所述第二半导体基板之间，以使形成于所述第三半导体基板中的配线层面对所述第一半导体基板的所述配线层。