[发明专利]光接收电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201480051685.0 | 申请日： | 2014-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN105659394B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 铃木康之;冈本大典 | 申请（专利权）人： | 技术研究组合光电子融合基盘技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H03F3/08;H04B10/60 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人： | 刘军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接收 电路 及其 制造 方法 | ||
1.一种光接收电路，其特征在于，包括：
光电二极管；以及
跨阻放大器，所述跨阻放大器向所述光电二极管供应电源，
所述光电二极管的阳极和所述跨阻放大器之间的布线的特性阻抗比所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线的特性阻抗高。
2.如权利要求1所述的光接收电路，其特征在于，
所述光电二极管的阳极和所述跨阻放大器之间的布线的特性阻抗比所述跨阻放大器的输入阻抗高。
3.如权利要求1所述的光接收电路，其特征在于，
所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线的特性阻抗比所述跨阻放大器的输入阻抗低。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光接收电路，其特征在于，
在所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线的下层具有地，在所述光电二极管的阳极和所述跨阻放大器之间的布线的下层不具有地。
5.如权利要求1至3中任一项所述的光接收电路，其特征在于，
所述光电二极管以及所述跨阻放大器被形成在Si基板上。
6.如权利要求5所述的光接收电路，其特征在于，
在所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线的下层所具有的地由Si层形成。
7.如权利要求1至3中任一项所述的光接收电路，其特征在于，
所述光电二极管以及所述跨阻放大器被形成SOI基板上，所述SOI基板是在Si基板和表面Si层之间插入有SiO2层的基板。
8.如权利要求7所述的光接收电路，其特征在于，
在所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线的下层所具有的地由SOI层形成。
9.如权利要求8所述的光接收电路，其特征在于，
向与所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线对应的SOI层的部分选择性地注入离子。
10.一种光接收电路的制造方法，所述光接收电路具有光电二极管和跨阻放大器，所述光接收电路的制造方法包括：
蚀刻应形成光电二极管的阳极和跨阻放大器之间的布线的部分的SOI层的步骤；
向应形成光电二极管的阴极和跨阻放大器之间的布线的部分的SOI层注入离子的步骤；
形成SiO2层的步骤；以及
在所述SiO2层上形成所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线的步骤，
所述光电二极管的阳极和所述跨阻放大器之间的布线的特性阻抗比所述光电二极管的阴极和所述跨阻放大器之间的布线的特性阻抗高。
11.如权利要求10所述的光接收电路的制造方法，其特征在于，
所述注入离子的步骤包括：
为了形成Si调制器或者Ge光接收器而进行载流子注入的步骤。
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