[发明专利]为使沉积留存增加而用于表面纹理化的几何形状和图案

说明书

提供一种处理腔室部件和用于制造所述处理腔室部件的方法。所述处理腔室部件以在此描述的方式制造，并包括在腔室部件的表面上至少一宏观纹理的产生。所述宏观纹理由多个经设计的特征结构所限定，所述经设计的特征结构在腔室部件的表面上以预定方向布置。在某些实施方式中，这些经设计的特征结构避免在这些特征结构之间限定的视线表面的形成，以增强在腔室部件上沉积的膜留存。

技术领域

在此描述的实施方式大体涉及处理腔室部件以及制造这些处理腔室部件的方法。更具体地，在此描述的实施方式涉及为增加沉积留存而用于表面纹理化的几何形状和图案。

背景技术

半导体处理腔室部件通常因为在这些腔室中所执行的处理结果，而于这些腔室部件上沉积有膜。于这些部件上沉积的这些膜最终会剥离或剥落，并可能将颗粒掉落在被处理的基板上。这些颗粒可导致在形成于基板上的集成电路中产生缺陷。

这些处理腔室部件已经被粗糙化，以加强这些沉积膜的留存，由此延长为了避免这些膜从腔室部件上剥落并成为污染源而需要清洁该腔室部件的时间。粗糙化处理常见的实例包括喷砂处理和施加双丝电弧喷涂(twin wire arc spray)涂层。然而，随着表面已经被粗糙化为越来越大的表面粗糙度(R_A)及更长时间间隔留存膜的目的，在这些粗糙化表面的尖峰上的涂层有折断情形增加的倾向，因此本身成为一种频繁的污染源，并使得许多高度粗糙化表面并不适合用于关键应用。

甚至更进一步的，已经证实腔室部件表面粗糙化的处理限制是一种进一步的困难的来源。例如，如果需要高热来执行表面粗糙化处理，则此高热可能造成部件扭曲，诸如造成塑性变形，或造成融合微裂隙，而降低部件的完整性。此外，传统用于表面纹理化的处理可能是昂贵且耗时的。最后，各种表面纹理化仍然遇到缺乏膜留存的情况，这造成在处理腔室中的颗粒形成。

因此，本领域仍需要一种改良的处理腔室部件和用于制造所述处理腔室部件的方法。

发明内容

在一个实施方式中，提供一种具有经图案化的表面以强化沉积膜留存的物件。所述物件可包括处理腔室部件，所述处理腔室部件具有经设计的特征结构所形成的宏观(macro)纹理化表面，这些经设计的特征结构被布置为避免形成跨越该宏观纹理化表面的视线表面(line of sight surface)。这些经设计的特征结构之一或更多者具有凹表面。

在另一实施方式中，提供一种具有经图案化的表面以强化沉积膜留存的物件。所述物件可包括处理腔室部件，所述处理腔室部件具有经设计的特征结构所形成的宏观纹理化表面，这些经设计的特征结构被布置为预定图案，以避免形成跨越该宏观纹理化表面的视线表面。这些经设计的特征结构可被布置为预定图案，且这些经设计的特征结构可以具有多个表面，这些表面具有凹形。

在又一实施方式中，提供一种制造半导体腔室部件的方法。所述方法可包括利用掩模覆盖腔室部件的表面。可从所述腔室部件的表面移除材料，以形成多个经设计的特征结构，这些经设计的特征结构限定纹理化表面。这些经设计的特征结构可被布置为避免形成跨越该宏观纹理化表面的视线表面，且这些经设计的特征结构可以具有多个表面，这些表面具有凹形。

附图说明

可通过参照实施方式(一些实施方式描绘于附图中)来详细理解本公开内容的上述特征，以及以上简要概述的有关本公开内容更具体的描述。然而，要注意的是，这些附图仅描绘本公开内容的典型实施方式，因此不被视为对本公开内容范围的限制，因为本公开内容可以允许其他等效的实施方式。

图1为一个实施方式的处理腔室部件的纹理化表面的局部平面图。

图2为图1的处理腔室部件的纹理化表面的局部截面图。

图3为其上设置有抗蚀掩模的图2的处理腔室部件的纹理化表面的局部截面图。

图4为抗蚀掩模的一个实施方式的局部平面图。