[发明专利]光伏器件及其形成方法

权利要求书

1.一种光伏器件，包括：

玻璃基底；

形成在所述玻璃基底之上的半导体吸收剂层；

形成在所述半导体吸收剂层之上的金属背面接触层；以及

设置在所述半导体吸收剂层和所述金属背面接触层之间的p-型背面接触缓冲层。

2.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述半导体吸收剂层由CdTe形成并且所述p-型背面接触缓冲层由MnTe形成。

3.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述p-型背面接触缓冲层由SnTe形成。

4.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述p-型背面接触缓冲层由Cd_1-xMn_xTe形成。

5.根据权利要求1所述的光伏器件，进一步包括设置在所述半导体吸收剂层和所述玻璃基底之间的窗口层，所述窗口层由CdS形成。

6.一种制造光伏器件的方法，包括以下步骤：

邻近基底沉积半导体吸收剂层；

邻近所述半导体吸收剂层沉积p-型背面接触缓冲层；以及

邻近所述p-型背面接触缓冲层沉积背面接触层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述半导体吸收剂层由CdTe形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述p-型背面接触缓冲层由MnTe形成。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，沉积p-型背面接触缓冲层步骤是蒸发步骤，由此通过将蒸发的MnTe撞击到所述半导体吸收剂层上来将MnTe背面接触缓冲层沉积在所述半导体吸收剂层上，所述蒸发的MnTe通过加热MnTe源来产生。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述蒸发步骤在高达约1200℃的温度进行。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，沉积p-型背面接触缓冲层步骤是溅射步骤，由此通过利用MnTe靶将MnTe溅射至所述半导体吸收剂层上来将MnTe背面接触缓冲层沉积在所述半导体吸收剂层上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述溅射步骤在高达约300℃的温度进行。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，沉积p-型背面接触缓冲层步骤是化学反应步骤，包括：

a.通过在所述半导体吸收剂层上施加液体MnI₂和将MnI₂蒸发至所述半导体吸收剂层上中的一种来将MnI₂溶液沉积至所述半导体吸收剂层上；以及

b.将MnI₂涂覆的半导体吸收剂层退火以形成MnTe。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，退火步骤在约400℃至约650℃的温度在缺氧环境中进行。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，退火步骤在惰性气体流的存在下进行以除去退火副产物气体。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述p-型背面接触缓冲层由SnTe形成。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述沉积p-型背面接触缓冲层步骤是溅射步骤，由此通过利用SnTe靶将SnTe溅射至所述半导体吸收剂层上来将SnTe背面接触缓冲层沉积在所述半导体吸收剂层上。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述沉积p-型背面接触缓冲层步骤是气相输运沉积步骤，由此将SnTe沉积在所述半导体吸收剂层上。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述p-型背面接触缓冲层由Cd_1-xMn_xTe形成。

20.一种制造光伏器件的方法，包括以下步骤：

邻近基底沉积CdS窗口层；

邻近所述CdS窗口层沉积CdTe半导体吸收剂层；

邻近所述CdTe半导体吸收剂层沉积由MnTe、Cd_1-xMn_xTe、或SnTe中的一种组成的p-型背面接触缓冲层；以及

邻近所述p-型背面接触缓冲层沉积背面接触层。