[发明专利]具有减少漏光或杂散光的屏蔽的光电模块以及用于此类模块的制造方法有效
申请号: | 201480045677.5 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN105493282B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 哈特穆特·鲁德曼;西蒙·古布斯尔;苏珊·韦斯特霍夫;斯蒂芬·海曼加特纳;珍妮斯·盖格;徐·毅;东创·金;约翰·A·维达隆;吉·王;启川·于;华琴·鸿 | 申请(专利权)人: | 赫普塔冈微光有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L33/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 新加坡新*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 减少 漏光 散光 屏蔽 光电 模块 以及 用于 制造 方法 | ||
1.一种光电模块,其包括:
光电装置,所述光电装置安装在衬底上;和
透明盖件,所述透明盖件由间隔物与所述衬底分离,其中所述间隔物由对所述光电装置发射或可由所述光电装置检测的光为非透明的材料构成;
其中所述透明盖件的侧壁嵌入到对所述光电装置发射或可由所述光电装置检测的光为非透明的材料内,其中嵌入有所述侧壁的所述非透明的材料和非透明的所述间隔物由相同材料构成并且彼此连续。
2.如权利要求1所述的模块,其进一步包括:光学元件,所述光学元件在所述透明盖件的表面上。
3.如权利要求1或权利要求2所述的模块,其进一步包括:光学元件组件,所述光学元件组件在所述透明盖件的对象侧之上,其中所述光学元件组件包括堆叠在所述透明盖件之上的一个或多个透镜。
4.如权利要求1或2所述的模块,其中嵌入有所述透明盖件的所述侧壁的所述非透明材料为含有非透明填充剂的聚合物材料。
5.如权利要求1或2所述的模块,其中嵌入有所述透明盖件的所述侧壁的所述非透明材料为具有碳黑的环氧树脂。
6.如权利要求2所述的模块,其中所述光学元件为在所述模块的传感器侧上的透镜元件。
7.如权利要求1所述的模块,其包括:光学元件,所述光学元件在所述透明盖件的表面上,其中所述光学元件为设置在所述透明盖件的对象侧上的透镜元件。
8.如权利要求1或2所述的模块,其进一步包括:挡块,所述挡块延伸超出所述透明盖件的表面,其中所述挡块由嵌入有所述透明盖件的所述侧壁的相同非透明材料构成。
9.如权利要求1所述的模块,其包括:电介质带通滤波器,所述电介质带通滤波器在所述透明盖件的表面上。
10.一种制造光电模块的方法,所述光电模块中的每一个包括至少一个光电装置和至少一个光学元件,所述方法包括:
提供透明晶片,所述透明晶片具有在所述透明晶片的相反侧上的第一表面和第二表面,其中所述透明晶片的所述表面中的一个上存在多个非透明间隔物元件;
在所述透明晶片中形成开口,每一开口被设置在所述间隔物元件中的相应一个之上并且延伸穿过所述透明晶片;
利用对所述光电装置发射或可由所述光电装置检测的光为非透明的材料实质上填充所述透明晶片中的所述开口;和
在所述透明晶片的与设置有所述间隔物元件的所述表面相反的表面上形成光学元件;
其中单一复制和真空注入工具被用于通过复制来形成所述光学元件并通过真空注入来利用所述非透明材料来填充所述透明晶片中的所述开口。
11.如权利要求10所述的方法,其进一步包括:
将衬底晶片附接至所述间隔物元件以使得所述间隔物元件将所述衬底晶片与所述透明晶片分离,其中存在安装在所述衬底晶片上的多个光电装置,并且其中所述衬底晶片和所述透明晶片形成晶片堆叠;和
将所述晶片堆叠分离成多个单个模块,其中每一模块包括实质上与相应光学元件对准的所述光电装置中的至少一个,所述相应光学元件在所述透明晶片的具有由所述非透明材料覆盖的侧壁的一部分上。
12.如权利要求10所述的方法,其进一步包括:
将单一化光电装置附接至所述间隔物元件以使得所述间隔物元件将所述单一化光电装置与所述透明晶片分离,其中所述单一化光电装置和所述透明晶片形成垂直堆叠;和
将所述垂直堆叠分离成多个单个模块,其中每一模块包括实质上与相应光学元件对准的所述单一化光电装置中的至少一个,所述相应光学元件在所述透明晶片的具有由所述非透明材料覆盖的侧壁的一部分上。
13.如权利要求10-12中任一项所述的方法,其中所述开口通过切割、微机械加工或激光切割来形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的