[发明专利]有机半导体薄膜制造方法

权利要求书

1.一种制造有机半导体薄膜的方法，所述方法包括：将具有凹部的模具设置在基板上，以及将有机半导体溶液引入由所述凹部与所述基板形成的空隙部中。

2.根据权利要求1所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中在引入所述有机半导体溶液之后，将所述模具除去以形成所述有机半导体薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中在将所述有机半导体溶液引入所述模具之后，将所述有机半导体溶液的溶剂蒸发以形成所述有机半导体薄膜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中通过毛细管力或机械作用实施所述有机半导体溶液的引入。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中在引入所述有机半导体溶液和/或分离所述模具之后，实施热处理以在所述基板上形成所述有机半导体薄膜。

6.根据权利要求5所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中在20℃以上且200℃以下的温度下实施所述热处理。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中得到的有机半导体薄膜为单畴晶体形式。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中由可固化树脂、溶剂、聚合引发剂和固化促进剂制造所述模具。

9.根据权利要求8所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中所述可固化树脂包含环氧树脂。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中所述有机半导体溶液包含低分子有机半导体化合物。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中所述有机半导体溶液包含高分子有机半导体化合物。

12.根据权利要求1～9中任一项所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中所述有机半导体溶液包含低分子有机半导体化合物和高分子有机半导体化合物的混合物。

13.根据权利要求10或12所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中所述有机半导体溶液包含由式(1)表示的化合物：

其中X₁和X₂各自独立地表示硫原子或硒原子；R₁和R₂各自独立地为氢原子、烷基、芳基、烷氧基或烷氧基烷基，且R₁和R₂可以相同或不同；且m和n各自独立地表示0或1。

14.根据权利要求11所述的制造有机半导体薄膜的方法，其中所述有机半导体溶液还包含半导电或绝缘的高分子化合物。

15.一种有机电子装置，所述有机电子装置包含权利要求1～14中任一项所述的有机半导体薄膜。

16.一种有机晶体管，所述有机晶体管包含权利要求1～14中任一项所述的有机半导体薄膜。