[发明专利]近红外线吸收玻璃及其制造方法有效
申请号: | 201480018208.4 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN105122453B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 山崎武志;石田克则 | 申请(专利权)人: | 豪雅冠得股份有限公司;青岛豪雅光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;C03C15/00;G02B5/22;H04N5/225;H04N5/359 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 肖峰;陈海滨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外线 吸收 玻璃 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种近红外线吸收玻璃及其制造方法。所述近红外线吸收玻璃为一种具备朝向固体摄像元件的光射入的入射面和使光透过并向固体摄像元件射出的出射面,且吸收光的近红外成分的板状的玻璃,其具备:光透过部,其可使光线透过;光散射部,其在入射面以及出射面的至少一个面上,框状包围光线透过部的外周,并使光的一部分散射。
技术领域
本发明涉及一种用于固体摄像元件的能见度修正的近红外线吸收玻璃及其制造方法。
背景技术
以往,CCD或CMOS等固体摄像元件被用于数码相机等中。这种固体摄像元件,因为具有从近紫外线区域起涵盖至近红外线区域的光谱灵敏度,所以采用近红外线吸收玻璃来将入射光的近红外线部分切断,更改为接近于人类的能见度,以提高色彩再现性(例如,专利文献1)。
然而,若将这种近红外线吸收玻璃等的光学零件配置于摄像元件的前面,则会产生因为在近红外线吸收玻璃的侧面等处反射的光射入摄像元件的摄像面,而发生耀斑(flare)或鬼影(ghost)等的问题。
为解决上述问题,遮挡产生鬼影等原因的光的光路的方法是有效的,以往,采用的是在近红外线吸收玻璃等光学零件的表面或背面进行墨涂(黑色涂装),或是贴附被着色为黑色的薄膜状遮光部件等,遮挡不必要的光的方法(例如,专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平7-281021号公报
专利文献2:日本特开2012-186434号公报
发明内容
发明所要解决的问题:
如上所述,当采用遮光部件来遮挡不必要的光时,由于需要以不遮挡通过正规光路射入的光方式,并以极高的位置精确度贴附(或配置)遮光部件,因此会需要极为慎重地进行操作,并且相对地会产生遮光部件的厚度、近红外线吸收玻璃的厚度变厚的问题。此外,在将遮光部件贴附于近红外线吸收玻璃上的操作中,存在尘埃附着在近红外线吸收玻璃的表面上或者对其表面造成损伤的可能性,并且,在贴附失败的情况下进行重贴的操作中,除了存在造成损伤的可能性以外,还会存在遮光胶带的粘着剂残留在近红外线吸收玻璃的表面上的担忧。
此外,在通过墨涂遮挡不必要的光时,由于需要以不遮挡通过正规的光路射入的光的方式,并以极高的位置精确度进行涂装,因此需要极为慎重地进行操作,存在生产性降低的问题。此外,在墨涂工序中,虽采用专用夹具等对近红外线吸收玻璃的表面进行涂装,但由于夹具等接触近红外线吸收玻璃的表面,因此与通过遮光胶带进行遮光的情况相同,存在造成损伤或者附着尘埃的担忧。此外,根据所使用的涂料的不同,也会产生涂料厚度不均,遮光性不均的问题。
本发明为鉴于这种情况而提出的,其目的在于提供一种近红外线吸收玻璃及其制造方法。其不需进行墨涂或者另外设置遮光部件,便能够防止不必要的反射光或杂散光产生鬼影或耀斑。
用于解决问题的手段:
为达成上述目的,本发明为一种在表面具备朝向固体摄像元件的光射入的入射面和在背面具备使所述光透过并朝所述固体摄像元件射出的出射面,且吸收光的近红外成分的板状近红外线吸收玻璃,其特征在于,具备:光透过部,其可使光透过;光散射部,其在入射面以及出射面的至少一面上,框状包围光透过部的外周,并使光的一部分散射。
根据这种构成,由于能够通过光散射部来对射入近红外线吸收玻璃的成为鬼影等原因的光进行遮光,因此不需要进行墨涂或另外设置遮光部件也能够防止由不必要的反射光或迷光导致的鬼影或光斑。此外,不需要遮光部件等,所以,在抑制光轴方向的尺寸的同时,还可防止在遮光部件等与玻璃面之间的不必要的反射。
此外,优选光散射部形成为从入射面以及出射面的至少一面起涵盖近红外线吸收玻璃的侧面。根据这种构成,能够遮挡将从近红外线吸收玻璃的侧面射入的不必要的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的