[发明专利]圆筒型溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201480018190.8 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN105074047B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 加藤慎司;张守斌;小见山昌三 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22D13/02;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 圆筒 溅射 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种圆筒型溅射靶，其通过铸造而形成，其特征在于，
该溅射靶为含有15～35原子％的Ga的Cu合金，
所述Cu合金中晶粒的长轴与短轴之比的平均值为2.0以下，
溅射部分的Ga浓度的最大值与最小值之差为2.0原子％以内。
2.根据权利要求1所述的圆筒型溅射靶，其中，
靶厚度为3mm以上。
3.根据权利要求1或2所述的圆筒型溅射靶，其中，
从溅射面投影时的所述晶粒的平均圆当量直径为5mm以下。
4.根据权利要求1或2所述的圆筒型溅射靶，其中，
所述Cu合金中的氧浓度为50质量ppm以下。
5.根据权利要求1或2所述的圆筒型溅射靶，其中，
所述铸造为离心铸造法。
6.根据权利要求1或2所述的圆筒型溅射靶，其中，
所述铸造为连续铸造法。
7.一种圆筒型溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1至4中任一项所述的圆筒型溅射靶的方法，
利用离心铸造法，该离心铸造法中，对含有15～35原子％的Ga的Cu合金的熔融金属所作用的离心力为重力的50～150倍，铸造温度为950℃～1300℃。
8.一种圆筒型溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1至4项中任一项所述的圆筒型溅射靶的方法，
将含有15～35原子％的Ga的Cu合金的熔融金属浇注至被冷却的圆筒型铸模，并以10mm/min以上的拉拔速度进行连续铸造。
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