[发明专利]具有改善的疲劳和击穿性能的铁电电容器有效
申请号: | 201480015331.0 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN105103322B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 穆赫德·A·卡恩;胡萨姆·N·阿尔沙雷夫;伊哈卜·N·乌达;穆罕默德·N·阿尔马道恩 | 申请(专利权)人: | 沙特基础工业公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;G11C13/02;H01L49/02;G11C11/22 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 王庆艳;刘继富 |
地址: | 沙特阿拉*** | 国省代码: | 沙特阿拉伯;SA |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改善 疲劳 击穿 性能 电容器 | ||
1.一种包含至少两种聚合物的聚合物共混物的铁电材料,其中第一聚合物是铁电聚合物,第二聚合物具有4或更小的介电常数,其中所述第二聚合物是具有以下结构的聚苯醚:
其中一个单元的氧醚原子连接至下一相邻单元的苯核,
R1和R2各自独立地为氢、卤素、烃基团、在卤素原子和苯基核之间具有至少两个碳原子的卤代烃基团、烃氧基团、在卤素原子和苯基核之间具有至少两个碳原子的卤代烃氧基团、或者经取代或未经取代的苯基基团,
其中所述聚合物共混物包含1重量%至8重量%的所述第二聚合物,其中所述聚合物共混物包含铁电聚合物的结晶或半结晶的聚合物基体、和包含第二聚合物的多个非晶纳米结构,其中所述多个非晶纳米结构被包含在所述聚合物基体内。
2.权利要求1所述的铁电材料,其中,所述聚合物共混物是其中所述至少两种聚合物已经溶解于常规溶剂的溶液共混物。
3.权利要求2所述的铁电材料,其中,所述常规溶剂是甲基-乙基-酮、环己酮、己酮、或包含能够溶解第一聚合物和第二聚合物两者的一定比例的至少两种溶剂的溶剂。
4.权利要求1所述的铁电材料,其中,所述聚合物共混物是熔体共混物。
5.权利要求4所述的铁电材料,其中,用于获得所述熔体共混物的温度高于所述至少两种聚合物中每一种的熔融温度并低于所述至少两种聚合物中每一种的热降解温度。
6.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,所述铁电聚合物是共聚物。
7.权利要求6所述的铁电材料,其中,所述共聚物是聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)P(VDF-TrFE)。
8.权利要求7所述的铁电材料,其中,VDF与TrFE的摩尔比为80:20、77:23、75:25、70:30或55:45。
9.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,所述第二聚合物的介电常数为1至3。
10.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,所述聚苯醚是聚(2,6-二甲基-1,4-苯醚)。
11.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,所述聚苯醚是NorylTMSA90树脂或NorylTMSA9000树脂或其组合。
12.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,所述铁电聚合物是聚偏氟乙烯(PVDF)、聚(偏氟乙烯-四氟乙烯)共聚物(P(VDF-TrFE))、或聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)共聚物(P(VDF-HFP))。
13.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,所述材料是膜。
14.权利要求13所述的铁电材料,其中,所述膜的厚度是20纳米至10微米。
15.权利要求13所述的铁电材料,其中,所述膜是单个单层膜。
16.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,多个非晶纳米结构是能够储存电荷的电荷捕获区域。
17.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,多个非晶纳米结构的尺寸和数量取决于所述聚合物共混物中第二聚合物以重量计的量。
18.权利要求1至5中任一项所述的铁电材料,其中,所述多个非晶纳米结构是纳米球。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沙特基础工业公司,未经沙特基础工业公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480015331.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择