[发明专利]光电子部件及其制造方法

说明书

本申请涉及包括以下步骤的制造光电子部件的方法：提供具有第一表面的光电子半导体芯片；在第一表面上沉积牺牲层；形成模制体，其中光电子半导体芯片被至少部分嵌入在该模制体中；以及去除牺牲层。

技术领域

本发明涉及依据专利权利要求1的制造光电子部件的方法以及涉及依据专利权利要求11的光电子部件。

本专利申请要求德国专利申请DE 10 2013 202 910.1的优先权，本申请的公开内容通过参考而被包括于此。

背景技术

在现有技术中，光电子部件包括实现若干功能性的外壳。这些功能性包含提供用于光电子部件的光电子半导体芯片的电连接、提供适合的安装界面——例如用于依据SMT技术的表面安装、以及机械连接光电子部件的各个部分。而且，可以集成保护性的ESD二极管以用于保护光电子部件的光电子半导体芯片免遭由静电放电产生的损害，以及集成用于注入和分开光、用于形成束或者用于转换波长的器件。由于要被实现的这许多的功能性，所以常规的光电子部件的外壳构成大量的消费因素。

DE 10 2009 036 621 A1公开了制造光电子部件的方法，其中光电子半导体芯片被布置在载体的上表面处。光电子半导体芯片被封装在模制体中，该模制体覆盖光电子半导体芯片的所有横向表面。光电子半导体芯片的顶表面和底表面优选地保持不被占用。在去除载体之后，光电子半导体芯片可以被单体化。在每个半导体芯片的顶表面和/或底表面处，可以提供接触点。模制体可以例如由基于环氧树脂的模制材料组成。

发明内容

本发明的目标是提供制造光电子部件的方法。该目标通过具有权利要求1的特征的方法来解决。本发明的进一步目标是提供光电子部件。该目标通过具有权利要求11的特征的光电子部件来解决。在从属权利要求中指示潜在和优选的实施例。

制造光电子部件的方法包括以下步骤：提供具有第一表面的光电子半导体芯片；在第一表面上沉积牺牲层；形成模制体，光电子半导体芯片被至少部分嵌入到该模制体中；以及去除牺牲层。有利地，该方法允许制造具有模制体的光电子部件，该模制体包括邻近于在模制体中嵌入的光电子半导体芯片的凹陷。在不要求先前精确放置半导体芯片或另一个部分的情况下，将所述凹陷与光电子半导体芯片精确对准。模制体的凹陷于是可以有利地被用于以高的精确度相对于光电子半导体芯片来安置光电子部件的进一步部分。有利地，该方法不涉及复杂的光刻工艺步骤。

在该方法的实施例中，在去除牺牲层之前执行进一步步骤，用于部分去除模制体以便致使牺牲层可接近。结果，在将光电子半导体芯片嵌入到模制体中时牺牲层有利地不必保持不被占用，而是可以被模制体覆盖。在部分去除模制体时，光电子半导体芯片有利地被牺牲层保护，因而防止对光电子半导体芯片的损害。

在该方法的实施例中，光电子半导体芯片的第一表面被提供用于电磁辐射的通道。有利地，光电子部件的模制体中的凹陷于是被布置成邻近于光电子半导体芯片的所述束通道表面。这允许使用模制体中的凹陷来用于光电子部件的部分相对于光电子半导体芯片的所述束通道表面的自对准布置。

在该方法的实施例中，将具有布置在其上的接触引脚牺牲层的导电接触引脚与光电子半导体芯片一起嵌入在模制体中。随后，接触引脚牺牲层与牺牲层一起被去除。有利地，嵌入在模制体中的接触引脚于是可以被用于将电连接引导穿过模制体。

在该方法的实施例中，所述方法包括以下进一步步骤：在光电子半导体芯片的第一表面处布置的电接触与接触引脚之间建立导电连接。有利地，接触引脚于是引导导电连接穿过模制体到光电子半导体芯片的电接触，因而允许在模制体的另一侧处电接触光电子半导体芯片。

在该方法的实施例中，所述方法包括在模制体的上表面处布置光学透镜的进一步步骤。有利地，在模制体中形成的邻近光电子半导体芯片的凹陷允许光学透镜关于光电子半导体芯片的精确自对准定向。为了对准光学透镜，具有高精确度的光学透镜的耗时和昂贵的放置因此不是所需的。