[发明专利]光电子部件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造光电子部件（10）的方法，包括以下步骤：

-提供具有第一表面（101）的光电子半导体芯片（100）；

-将牺牲层（110）沉积在所述第一表面（101）上；

-形成模制体（400），所述光电子半导体芯片（100）被至少部分嵌入在所述模制体（400）中；

-去除所述牺牲层（110），

其中在沉积牺牲层（110）与形成模制体（400）之间将所述光电子半导体芯片（100）从晶片（120）中取出。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在去除所述牺牲层（110）之前，执行下面的步骤：

-部分去除所述模制体（400）以便致使所述牺牲层（110）能接近。

3.根据前述权利要求中的任何一个所述的方法，

所述光电子半导体芯片（100）的所述第一表面（101）被提供用于电池辐射的通道。

4.根据权利要求1至2中的任何一个所述的方法，

其中导电接触引脚（200）与所述光电子半导体芯片（100）一起被嵌入在所述模制体（400）中，所述导电接触引脚（200）具有布置在所述接触引脚（200）上的接触引脚牺牲层（210），

其中所述接触引脚牺牲层（210）与所述牺牲层（110）一起被去除。

5.根据权利要求4所述的方法，

包括下面的进一步步骤：

-在所述光电子半导体芯片（100）的所述第一表面（101）处布置的电接触（103）与所述接触引脚（200）之间建立导电连接（530）。

6.根据权利要求1至2中的任何一个所述的方法，

包括下面的进一步步骤：

-在所述模制体（400）的顶表面（401）上布置光学透镜（600）。

7.根据权利要求1至2中的任何一个所述的方法，

其中所述光电子半导体芯片（100）被嵌入到所述模制体（400）中，使得所述光电子半导体芯片（100）的第二表面（102）与所述模制体（400）的底表面（402）齐平。

8.根据权利要求1至2中的任何一个所述的方法，

其中将多个光电子半导体芯片（100）共同地嵌入到所述模制体（400）中，其中所述模制体（400）被划分以便获得多个光电子部件（10）。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述模制体（400）之前，执行下面的步骤：

-将所述光电子半导体芯片（100）布置在载体（300）上，所述光电子半导体芯片（100）的第二表面（102）被定向成朝着所述载体（300）的上表面（301），

其中在形成所述模制体（400）之后从所述载体（300）去除所述模制体（400）。