[发明专利]用于对半导体晶片进行等离子体切片的方法和设备有效
| 申请号： | 201480006389.9 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN105308726B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 里什·高尔丁;克里斯·约翰逊;大卫·约翰逊;林内尔·马丁内斯;大卫·佩斯-沃拉德;鲁塞尔·韦斯特曼;戈登·M·格里夫纳 | 申请（专利权）人： | 等离子瑟姆有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;H01L21/78;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 陆弋,金洁 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 对半 导体 晶片 进行 等离子体 切片 方法 设备 | ||
1.一种用于对衬底进行等离子体切片的方法，所述方法包括：
提供具有壁的处理室；
邻近所述处理室的所述壁提供等离子体源；
在所述处理室内提供工件支撑件；
将工件放置到所述工件支撑件上，所述工件具有支撑膜、框架和所述衬底，所述工件在所述支撑膜中具有第一张力；
将所述工件夹持到所述工件支撑件；
通过向所述框架施加力而将所述支撑膜置于额外张力下，到所述支撑膜的所述额外张力是在所述夹持步骤之前施加的；
使用所述等离子体源来产生等离子体；以及
使用所产生的等离子体来蚀刻所述工件。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述支撑膜与所述工件支撑件之间引入热传递流体。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述热传递流体是气体。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述热传递流体是氦气。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述热传递流体还包括大于1托的流体压力。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述热传递流体还包括小于30托的流体压力。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑膜是切片胶带。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述夹持步骤之后，改变向所述支撑膜施加的所述额外张力。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述夹持步骤之后，移除向所述支撑膜施加的所述额外张力。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述额外张力施加到所述支撑膜所需的所述力的一些部分能够来源于所述框架的重量。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述支撑膜的所述额外张力被机械地致动。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述支撑膜的所述额外张力被磁力地致动。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述支撑膜的所述额外张力被静电地致动。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑膜因施加到所述支撑膜的所述额外张力的施加而弹性变形。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑膜不因施加到所述支撑膜的所述额外张力的施加而塑性变形。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述夹持步骤使用静电吸盘。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述夹持步骤使用机械吸盘。
18.一种用于对衬底进行等离子体切片的方法，所述方法包括：
提供具有壁的处理室；
邻近所述处理室的所述壁提供等离子体源；
在所述处理室内提供工件支撑件；
将工件放置到所述工件支撑件上，所述工件具有支撑膜、框架和所述衬底，所述工件在所述支撑膜中具有第一张力，所述框架不与盖环接触；
通过向所述框架施加力而将所述支撑膜置于额外张力下；
使用所述等离子体源来产生等离子体；以及
使用所产生的等离子体来蚀刻所述工件。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：在所述支撑膜与所述工件支撑件之间引入热传递流体。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述热传递流体是气体。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述热传递流体是氦气。
22.根据权利要求19所述的方法，其中，所述热传递流体还包括大于1托的流体压力。
23.根据权利要求19所述的方法，其中，所述热传递流体还包括小于30托的流体压力。
24.根据权利要求18所述的方法，其中，所述支撑膜是切片胶带。
25.根据权利要求18所述的方法，其中，将所述额外张力施加到所述支撑膜所需的所述力的一些部分能够来源于所述框架的重量。
26.根据权利要求18所述的方法，其中，施加到所述支撑膜的所述额外张力被机械地致动。
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