[发明专利]热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法

说明书

具备：基板(41)，其由半导体构成；发光部(52)，其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42)，并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46)；环状的保护壁(53)，其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成，并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51)；第1电极(47)，其配置在凹部(51)的底面上；和第2电极(48)，其配置在发光部的上表面。

技术领域

本发明涉及单面双电极型的半导体激光元件以及使用其的热辅助磁记录头。另外本发明涉及单面双电极型的半导体激光元件的制造方法。

背景技术

与近年来的信息化社会的发展相伴，推进了声音和影像的高精细化，并且因特网的数据通信量显著增加。另外，由于所谓云计算的发达而使积蓄在因特网上的数据量极大地膨胀，预测该倾向今后也将继续不断高涨。在这样的状況下，对积蓄电子数据的信息记录系统的大容量化的期待不断提高。

作为大容量的信息记录装置，以硬盘为首的磁记录装置起到大的作用。为了提升该磁记录装置的记录密度，实现了能实现微小的记录比特的垂直磁记录，进而推进了热辅助磁记录技术的开发。

热辅助磁记录为了使磁化更加稳定而使用由磁各向异性能量大的磁性材料形成的磁记录介质。并且，通过加热使该磁记录介质的数据写入的部分的各向异性磁场降低，紧接其后施加写入磁场来进行微小的尺寸的写入。作为加热磁记录介质的方法，一般有照射近场光等的光的方法，作为该目的的光源，一般利用半导体激光元件。

在专利文献1公开了具备半导体激光元件的现有的热辅助磁记录头。图12示出该热辅助磁记录头的概略主视图。热辅助磁记录头1具备浮动块(slider)10以及半导体激光元件30，配置在磁盘(未图示)上。

浮动块10浮在旋转的磁盘上，在面朝磁盘的一端部设置磁记录部13以及磁再现部14。在磁记录部13的近旁设置光波导15，在光波导15内配置产生近场光的元件(未图示)。

半导体激光元件30在基板31上形成半导体层叠膜32，通过半导体层叠膜32的脊结构形成条带状的光波导36。在基板31的底面形成第1电极(未图示)，在半导体层叠膜32的上表面形成第2电极(未图示)。

浮动块10的背面侧(与磁盘相反侧)的设置面10a经由粘结剂19粘结副基台21的前面21a。半导体激光元件30经由第2电极上设置的焊料29粘结在与副基台21的前面21a垂直的垂直面21b上。这时，光波导36的一端面的射出部36a与浮动块10的光波导15对置配置。

另外，在副基台21的垂直面21b上形成经由焊料29与第2电极导通的端子部(未图示)。由此，第1电极以及端子部面向同一方向(图中左方)配置，能容易地将引线连接到第1电极以及端子部。

若在第1电极与端子部之间施加电压，则从射出部36a射出激光。从射出部36a射出的激光在浮动块10的光波导15中进行导波而产生近场光。磁盘由于近场光的热而局部地各向异性磁场降低，通过磁记录部13进行磁记录。由磁再现部14读出记录在磁盘的数据。

另外，半导体激光元件30的发热经由焊料29传递到副基台21，经由粘结剂19传递到浮动块10。由此，半导体激光元件30的发热从副基台21以及浮动块10散热。

上述的半导体激光元件30的第1电极以及第2电极分别设置在基板31的底面以及半导体层叠膜32的上表面，与基板31的两面对置配置。与此相对，在非专利文献1中公开了在基板的单面配置第1电极以及第2电极的单面双电极型的半导体激光元件。

图13示出该单面双电极型的半导体激光元件40的主视图。半导体激光元件40将半导体层叠膜42层叠在蓝宝石等的基板41上。半导体层叠膜42以设置在基板41上的基底层(未图示)为基底进行外延生长而形成，从基板41侧起依次具有n型半导体层43、活性层44、p型半导体层45。