[实用新型]有机发光二极管显示器的阵列基板及显示器有效
申请号: | 201420814233.0 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN204257651U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 吴剑龙;朱修剑 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50;G09G3/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 阵列 | ||
技术领域
本实用新型涉及有机发光二极管显示器,特别是涉及一种有机发光二极管显示器的阵列基板。
背景技术
随着经济生活的发展,人们对显示器的要求原来越高,高精细化,色彩丰富,响应快的显示器逐渐成为主流。对于有机发光二极管(OLED)显示器,高PPI(pixel per inch)的实现,一方面可以通过提高OLED蒸镀的对位精度,另一方面可以通过改善像素阵列的布局。随着OLED蒸镀的逐渐改善和提高,像素阵列部分的限制也逐渐凸显出来。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够提高显示器的PPI的有机发光二极管显示器的阵列基板。
一种有机发光二极管显示器的阵列基板,包括衬底及衬底上的多个像素单元、扫描线、数据线、复位信号线及电源电压线,各像素单元以阵列方式排列,各扫描线及各复位信号线沿行方向延伸,每个像素单元与两条扫描线、一条数据线、一条复位信号线及一条电源电压线连接,同一行的像素单元与相同的两条扫描线、一条复位信号线连接,复位信号线两侧的各一行像素单元共用这条复位信号线。
在其中一个实施例中,各数据线及电源电压线沿列方向延伸,同一列的像素单元与相同的一条数据线及一条电源电压线连接。
在其中一个实施例中,电源电压线两侧的各一列像素单元共用这条电源电压线。
在其中一个实施例中,在行方向上相邻且共用一条电源电压线的两个像素单元以共用的电源电压线为对称轴呈轴对称。
在其中一个实施例中,所述每个像素单元设于相邻的一条数据线和电源电压线之间。
在其中一个实施例中,每个像素单元包括发光单元、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管及电容器,所述第一薄膜晶体管的栅极连接第一扫描线,漏极连接复位信号线,源极连接第二薄膜晶体管的源极、第三薄膜晶体管的栅极及电容器的一端,所述第二薄膜晶体管的栅极连接第二扫描线,漏极连接数据线,所述第三薄膜晶体管的漏极连接电源电压线,源极连接所述发光单元,所述电容器的另一端连接所述电源电压线。
在其中一个实施例中,每个像素单元连接的复位信号线、第一扫描线及第二扫描线沿列方向依次排列。
在其中一个实施例中,在列方向上相邻且共用一条复位信号线的两个像素单元以共用的复位信号线为对称轴呈轴对称。
本实用新型还提供一种有机发光二极管显示器,包括上述的阵列基板。
上述有机发光二极管显示器的阵列基板,通过相邻两行/列像素共用一些共通走线的方式,实现了节省布线空间的效果,可以为重要走线提供更多的布线空间,也可以减小像素尺寸,提高PPI。且对像素电路的布局、对电信号的传导均无不利影响。
附图说明
通过附图中所示的本实用新型的优选实施例的更具体说明,本实用新型的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分,且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图,重点在于示出本实用新型的主旨。
图1是本实用新型实施例1的像素阵列的结构示意图;
图2是本实用新型实施例2的像素阵列的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的