[实用新型]一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管有效

专利信息
申请号: 201420782017.2 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN204349205U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 王卫;夏连胜;谌怡;刘毅;张篁;杨超;叶茂 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H01S5/02 分类号: H01S5/02;H01S5/40;H01S5/06
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 徐静
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 多芯组高 功率 塑封 脉冲 半导体 激光二极管
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及高功率脉冲半导体激光二极管领域,尤其是涉及一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。

背景技术

光导开关是一种利用光导半导体和超快脉冲激光相结合形成的新型固态开关。由于光导开关具有导通速度快、触发抖动小、同步精度高、功率容量大等优良特性,使它在超快电子学、高功率微波、闪光照相等众多领域有着良好的应用前景。

近年来,随着光导开关性能的逐渐提升,对光导开关特性的研究也引起了各国科学家的高度重视,而研究光导开关所采用的最普遍的驱动方式是利用高能激光器产生的激光脉冲来驱动。但这种方法结构复杂,可同步驱动的光导开关数量十分有限,同时使得光导开关的使用需要配备价格昂贵的高能激光器,大大增加了光导开关的使用成本,这也成为目前限制光导开关大规模应用的主要因素。

幸运的是,砷化镓光导开关非线性工作模式的发现,使得光导开关的触发光能可低至纳焦耳量级,让高功率半导体激光二极管作为光导开关的触发源成为可能。利用高功率半导体激光二极管触发光导开关一方面大大降低了光导开关的使用成本,另一方面使得可同步驱动的光导开关数量大幅增加,同时还减小了光导开关触发系统的体积和重量。然而,即使是工作于非线性模式的光导开关,对触发源也有着较高的要求,这种要求主要体现在激光脉冲的能量、激光脉冲的功率、激光光斑的大小和分布上。激光脉冲的能量越大、功率越高,激光光斑面积越大、分布越均匀,则光导开关的导通性能越好,寿命也越长;反之,激光脉冲参数在任何一方面不满足要求,都将会对光导开关的导通性能和寿命产生严重的影响。

目前,市场上所能买到的高功率半导体激光二极管都不是专门为驱动光导开关而设计的,在激光脉冲能量和功率方面都不能较好地满足驱动光导开关所需要的条件,在激光光斑的大小和分布上更是无法保证。因此,迫切需要一种在激光脉冲的能量、激光脉冲的功率、激光光斑的大小和分布上都符合要求的高功率半导体激光二极管来驱动光导开关,让在高功率半导体激光二极管驱动下的光导开关的性能可以和在高能激光器驱动下的光导开关的性能相比拟,最终使高功率半导体激光二极管代替高功率激光器成为驱动光导开关最普遍的驱动源,降低光导开关的使用成本,减小光导开关触发系统的体积和重量,加快光导开关的大规模应用,推动光导开关技术的进一步发展。

实用新型内容

本实用新型所要解决的问题是:针对现有技术存在的问题,提供一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管,通过多个半导体激光二极管芯组的串联使用,使半导体激光二极管输出的激光脉冲能量更大、功率更高、光斑面积更大且更均匀,显著提高光导开关在高功率半导体激光二极管驱动下的导通性能和使用寿命,同时解决以往光导开关触发系统造价高、体积大的问题。

本实用新型目的通过下述技术方案来实现:

一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管包括:正电极1、负电极2、半导体激光二极管管座4、多个半导体激光二极管芯组6、导电银浆8、陶瓷片9、银电极10、电流流入端金丝11、芯组连接金丝12、电流流出端金丝13;

半导体激光二极管管座4,用于在半导体激光二极管管座底端面上固定正电极1、负电极2,并在半导体激光二极管管座横切面上固定陶瓷片9;

陶瓷片9表面等间距分布有M个银电极10,每个银电极10之间相互独立,每个银电极10都通过导电银浆8将一个半导体激光二极管芯组6垂直粘接固定于陶瓷片9上,实现M个半导体激光二极管芯组6等间距固定于陶瓷片9上,其中每个半导体激光二极管芯组的第N芯片的负极与银电极10直接接触;陶瓷片9底面粘接于半导体激光二极管管座6上,靠近正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片始端,远离正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片末端;

多个半导体激光二极管芯组之间通过芯组连接金丝12采用串联的连接方式,正电极通过电流流入端金丝11与第一半导体激光二极管芯组第一芯片正极连接;第M半导体激光器二极管芯组第N芯片负极通过电流流出端金丝13与负电极连接;位于陶瓷片始端的半导体激光二极管芯组为第一芯组,与第一芯组相邻的芯组为第二芯组,以此类推,位于陶瓷片末端的半导体激光二极管芯组为第M芯组;

正电极,驱动电流流入该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管的电极,正电极穿过半导体激光二极管管座上的小孔固定在在半导体激光二极管管座上,所述小孔内填充绝缘硅胶使正电极和半导体激光二极管管座之间相互绝缘;

负电极,驱动电流流出多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管的电极,负电极直接焊接固定在半导体激光二极管管座上;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院流体物理研究所;,未经中国工程物理研究院流体物理研究所;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420782017.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top