[实用新型]一种载盘组件有效
申请号: | 201420735359.9 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN204315540U | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 黄宏义 | 申请(专利权)人: | 宽辅科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种载盘组件,特别涉及一种能改善背侧导热(热传)气体均匀分布的载盘组件。
背景技术
常用的基板处理设备包括载盘组件,而载盘组件具有固持基板的用途。然而,载盘组件的主体的上表面及下表面通常皆为平滑表面,此种平滑表面具有0.3um~0.5um的表面粗糙度(Ra),位于载盘组件附近的背侧导热气体会因为机械加工刀纹与此种平滑表面,在偶发的搭配情况下,造成背侧导热气体积聚在基板下,不易与主体下方或其他区域的气体置换,进而使基板的温度越来越高,如此可能会对基板上的处理造成不利的影响。
再者,背侧导热气体可能只会积聚在某一特定区域,而导致基板处理设备的处理均匀性下降。具体而言,例如当背侧导热气体只积聚在某一特定区域时,载盘组件上的各个基板可能会因此而具有不同的温度,进而导致各个基板所需的处理时间不同而影响整体的生产良率。甚至,此种积聚现象有时也会在同一个基板上造成不均匀的温度分布。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种载盘组件,可有效地改善背侧导热气体均匀分布,以提高产品的良率。
依据本实用新型的一个方面,提供了一种载盘组件,用以承载基板,该载盘组件包括:一主体,设置成板状并具有一上表面及一下表面,其中该上表面经过表面粗化处理以具有1.0um~5.0um的表面粗糙度并且设有一或多个基板承载区域,该基板承载区域用以容置基板并且设置有第一气体通孔,该第一气体通孔穿透主体,以及,其中在未设置基板承载区域的上表面,设置有第二气体通孔,该第二气体通孔穿透主体;一顶盖,用以覆盖主体的上表面以及主体的侧边,该顶盖具有一或多个穿孔,其中一或多个穿孔是分别对应一或多个基板承载区域,以露出容置在基板承载区域上的基板;以及一密封环,设置在基板承载区域的周围,并用以在顶盖与主体之间形成独立空间,以及在基板与主体之间形成独立空间。
可选地,顶盖具有朝穿孔的中心延伸的一或多个突出部,该突出部用以局限容置在基板承载区域上的基板,藉以防止基板脱离基板承载区域。
可选地,形成在基板与主体之间的独立空间是与第一气体通孔连通的。
可选地,形成在顶盖与主体之间的独立空间是与第二气体通孔连通。
可选地,顶盖与主体的侧边共同构成一气体通道。
可选地,主体的下表面经过表面粗化处理以具有1.0um~5.0um的表面粗糙度。
可选地,主体的侧边经过表面粗化处理以具有1.0um~5.0um的表面粗糙度。
本实用新型的实施例的有益效果是:一种载盘组件,透过将载盘组件的主体设置成具有非平滑表面,以使背侧导热气体可以更均匀分布于载盘组件中,进而使载盘组件的内部维持均一的压力及温度,以防止载盘组件上的基板受到不均匀压力或不均匀温度的影响而造成良率不佳的问题。
附图说明
图1表示本实用新型的载盘组件的示意图;
图2表示本实用新型的载盘组件的组合图。
其中:100、载盘组件,110、主体,112、上表面,112a、基板承载区域,114、下表面,116、侧边,120、顶盖,122、穿孔,122a、突出部,130、密封环,A:第一气体通孔,B:第二气体通孔,C、气体通道。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本实用新型的示例性实施例。虽然附图中显示了本实用新型的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本实用新型而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本实用新型,并且能够将本实用新型的范围完整的传达给本领域的技术人员。
实施例
图1显示依照本实用新型实施例的载盘组件100的示意图,图2概略显示图1的载盘组件100的组合图。同时参考图1及图2,载盘组件100是用以承载一或多个待处理的基板。载盘组件100包含主体110、顶盖120以及密封环130。主体110可例如设置成具有板状结构。密封环130的材质可例如为橡胶、硅胶等等,但不以此为限
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造