[实用新型]一种集成微垫片的MEMS可调光衰减器芯片有效
| 申请号： | 201420672263.2 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN204454561U | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王文辉;李四华;林沁;李维;施林伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市盛喜路科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G02B6/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区彩田路西红荔路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 垫片 mems 调光 衰减器 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成微垫片的MEMS可调光衰减器芯片，其特征在于所述芯片包括衬底、可动结构、电极和微垫片，所述微垫片在电极和可动结构上方集成形成。
2.根据权利要求1所述的集成微垫片的MEMS可调光衰减器芯片，其特征在于所述微垫片的厚度可从亚微米级到毫米级。
3.根据权利要求2所述的集成微垫片的MEMS可调光衰减器芯片，其特征在于所述微垫片的材料为单晶硅或者非单晶硅。
4.根据权利要求2所述的集成微垫片的MEMS可调光衰减器芯片，其特征在于所述微垫片的形状可为在电极上连续或不连续的对称或不对称的任意图形。
5.根据权利要求2所述的集成微垫片的MEMS可调光衰减芯器片，其特征在于中所述衬底为双器件层SOI硅片或单器件层SOI硅片。
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