[实用新型]有机发光二极管显示器

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，包括：

基板；

形成所述基板的有效区域的像素电路阵列；和

所述基板的无效区域中的电路，其中每个像素电路包括：

有机发光二极管；

与所述有机发光二极管串联耦接的硅晶体管；

耦接至所述硅晶体管的存储电容器；和

耦接至所述存储电容器的半导体氧化物晶体管。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述基板在所述无效区域中是弯曲的。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器还包括电介质层，其中所述电介质层存在于所述有效区域中，并且其中所述电介质层中的至少一些不存在于所述无效区域中。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，每个像素电路中的所述硅晶体管包括硅沟道，其中所述电介质层包括介于所述基板和所述硅沟道之间的缓冲层，并且其中所述缓冲层不存在于所述无效区域中。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器还包括所述有效区域中的第一金属层，其中所述第一金属层中的一些形成用于每个像素电路中的所述硅晶体管的栅极。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一金属层中的一些形成用于每个像素电路中的所述半导体氧化物晶体管的栅极。

7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器还包括第二金属层，其中所述第二金属层在所述有效区域中是图案化的以形成用于所述硅晶体管并且用于所述半导体氧化物 晶体管的源极-漏极端子。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第二金属层在所述无效区域中是图案化的以形成在所述像素电路阵列和所述无效区域中的电路之间耦接的数据线。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述基板是弯曲的柔性基板，并且其中所述数据线是弯曲的并在所述基板的表面上形成，使得没有所述电介质层插入在所述数据线和所述基板之间。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，每个像素中的所述半导体氧化物晶体管包括半导体氧化物沟道。

11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述电介质层包括氮化硅层，所述氮化硅层与每个像素电路中的所述硅晶体管的所述硅沟道重叠并且不与每个像素电路中的所述半导体氧化物晶体管的所述半导体氧化物沟道重叠。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述存储电容器具有由金属的第二层形成的第一电极并且具有第二电极。

13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述电介质层包括另外的氮化硅层，其中所述另外的氮化硅层插入在每个像素电路中的所述存储电容器的所述第一电极和所述第二电极之间。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器还包括氧化硅层，所述氧化硅层与每个像素电路中的所述半导体氧化物沟道重叠并且所述氧化硅层在每个像素电路的所述存储电容器中局部移除，使得没有所述氧化硅层插入所述存储电容器的所述第一电极和所述第二电极之间。

15.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器还包括从所述有效区域向所述无效区域延伸的数据线，其中所述电介质层具有当从所述有效区域向所述无效区域过渡时在高度上减小的阶梯式外形，并且其中所述数据线在具有所述阶梯式外形的所述电介质层上形成。

16.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，每个 像素电路中的所述半导体氧化物晶体管包括驱动晶体管，并且其中每个像素电路中的所述硅晶体管包括开关晶体管。