[实用新型]全覆盖式扩展电极结构的发光二极管有效
| 申请号： | 201420455510.3 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN204088359U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;杨凯;白继锋;陈宝;马祥柱;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/06 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆盖 扩展 电极 结构 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.全覆盖式扩展电极结构的发光二极管，包括在Si衬底一面依次设置的金属粘结层、反射镜层、p-GaP窗口层、p-AIGaInP限制层、MQW多量子阱有源层和n-AIGaInP限制层，在n-AIGaInP限制层上分别设置n主电极和图形化的n-GaAs欧姆接触层，在n-GaAs欧姆接触层上设置n扩展电极层，n扩展电极层与n主电极电学连接；在Si衬底的另一面设置p电极；其特征在于所述n扩展电极层的尺寸大于图案化n-GaAs欧姆接触层尺寸，且n扩展电极层的外缘连接在n-AIGaInP限制层上。
2.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述n扩展电极层的厚度为300±50nm。
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