[实用新型]一种塑封固化二极管去废边装置有效
申请号: | 201420267933.2 | 申请日: | 2014-05-23 |
公开(公告)号: | CN203932017U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 陶慧娟 | 申请(专利权)人: | 南通皋鑫科技开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B29C37/02 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 塑封 固化 二极管 去废边 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种二极管的生产辅助设备,具体涉及一种塑封固化二极管去废边装置。
背景技术
二极管是一种能够单向传导电流的电子器件,生产过程包括焊接、酸洗、注塑成型、电镀、引线和测试包装步骤,其中,注塑成型步骤是在对材料进行成型,在材料的外部用黑胶将其封装,以保护内部芯片材料不受干扰与污染,具体的操作步骤为:将材料按照要求放置于专用的模架上,模架不能有空缺,将装满的模架放置于塑封压机模具槽上,合模,将黑胶投入到注胶口开始注塑,黑胶通过注塑流道注塑,然后固化,使材料塑封成型,材料成型后必须移去多余的黑胶。目前大多数企业通过人工操作移去多于的黑胶,不仅生产效率低,劳动强度大,还容易损伤产品,影响产品质量。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种操作方便,能够保证产品质量的塑封固化二极管去废边装置,降低工人的劳动强度,提高生产效率。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种塑封固化二极管去废边装置,其创新点在于:包括支架、基板和压片;所述基板设置于支架上端;所述压片设置于基板上端,压片的一端与基板一端的中间部位通过铰链连接;
所述基板中间设置两排支撑,两排支撑对称设置,距离为废边的宽度,且每个支撑两侧均为台阶状,设置一个台阶面;
所述压片与基板连接的一端设置一个用于容纳塑封固化专用模架边框的容纳腔,另一端的上表面设置把手;所述压片的宽度等于基板两排支撑之间的距离。
进一步的,所述基板四周还设置有限位柱。
进一步的,所述限位柱的顶部设置与塑封固化专用模架上的立柱匹配的限位孔。
进一步的,所述的容纳腔为拱形结构。
进一步的,所述的基板中间设置有供多于的废边通过的槽口,槽口下端设置有废边收集盒。
本实用新型的有益效果:本实用新型设计简单合理,使用方便,将专用模架经塑封固化置于本实用新型的装置上,模架的支架置于相邻连个支撑的台阶面上,利用限位柱限位,对准位置,将压片下压,除去模架中间的多余黑胶,仅需1-2秒的时间便可以完成,大大节约了劳动时间,提高生产效率;利用本实用新型的装置代替人工操作很大程度上降低了劳动强度。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型去废边装置的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型的技术方案作详细说明。
本实用新型的一种塑封固化二极管去废边装置,包括包括支架、基板和压片;所述基板设置于支架上端;所述压片设置于基板上端,压片的一端与基板一端的中间部位通过铰接连接。
实施例
一种塑封固化二极管去废边装置,包括支架1、基板2和压片3;基板2设置于支架1上端;压片3设置于基板2上端,压片3的一端与基板1一端的中间部位通过铰链4连接。基板1中间设置两排支撑5,两排支撑5对称设置,距离为废边的宽度,且每个支撑5两侧均为台阶状,设置一个台阶面6;基板1四周还设置有限位柱7,限位柱7的顶部设置与塑封固化专用模架上的立柱匹配的限位孔8。压片3与基板2连接的一端设置一个用于容纳塑封固化专用模架边框的拱形容纳腔9,另一端的上表面设置把手10;压片的宽度等于基板2两排支撑5之间的距离。
作为本实用新型的具体实施方式,基板中间设置有供多于的废边通过的槽口11,槽口11下端设置有废边收集盒12。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造