[实用新型]一种晶圆承载装置和晶圆承载系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆承载装置和晶圆承载系统。

背景技术

在半导体的制作工艺中，晶圆要经过多道热处理工艺，达到不同的工艺目的，随着工艺的不同，每道热处理的工艺温度也会有差别。工艺温度是指晶圆表面或与工艺气体在一定的温度下发生的物理或化学变化，有些工艺对温度的要求很高，温度控制得好坏对工艺的结果影响也会比较明显。

现有的晶圆承载系统中，工艺管一般为U型管，用于测量温度的热偶安装在工艺管的内壁上，晶圆放置在该工艺管内的中心处，现有技术通过测试热偶所在的工艺管内壁附近的温度来近似替代晶圆的温度，工艺管的表面距离晶圆的边沿存在一定的距离，因工艺设备的不同，工艺管内表面到晶圆的距离也有所不同，距离越大，热偶所反应的温度就越偏离晶圆的实际温度。在实际工艺中，会通过反复的工艺试验，对热偶给予合适的补偿，获得较理想的工艺效果，但由于热偶测试点距离晶圆存在一定的距离，工艺管内气体流量的变化等因素仍会带来干扰因素，会影响到工艺的效果。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是安装在工艺管内壁上的热偶测试点与工艺管内中心处的晶圆存在一定距离，从而工艺管内气体流量的变化会影响到工艺效果的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种晶圆承载装置，包括：顶板、底板、支座和多根固定柱；所述固定柱穿过所述底板安装在所述顶板和所述支座之间，多根所述固定柱布置在所述底板的周向上，多根所述固定柱内侧对应设有凹槽，晶圆支撑在多根所述固定柱的所述凹槽内，所述底板上设有第一通孔，所述第一通孔内设有空心的第一立柱，所述第一立柱的两端分别与所述顶板和所述支座连接，所述第一立柱内设有热偶。

其中，所述底板上设有第二通孔，所述第二通孔内设有空心的第二立柱，所述第二立柱的两端分别与所述底板和所述支座连接，热偶贯穿于所述第二立柱。

其中，所述底板与所述支座之间设有至少一片保温板。

其中，所述固定柱和所述保温板的材质均为石英或碳化硅。

本实用新型提供了一种晶圆承载系统，包括炉体、工艺管和所述晶圆承载装置，所述晶圆承载装置位于所述工艺管内，所述工艺管位于所述炉体内。

本实用新型的上述技术方案具有如下优点：本实用新型所提供的晶圆承载装置和晶圆承载系统，通过在底板上设有第一立柱安装热偶，可以减小热偶与晶圆的距离，使得测量数据更真实反应晶圆的温度，改善了控温效果，提高了工艺质量，且底板上还设有第二立柱，热偶可根据需求贯穿于第二立柱，测量工艺管内的温度，满足其他测试的需求。

附图说明

图1是本实用新型实施例晶圆承载装置的结构示意图；

图2是本实用新型实施例晶圆承载装置的横向剖视图；

图3是本实用新型实施例晶圆承载系统的结构示意图。

图中：1：顶板；2：固定柱；3：第一立柱；4：底板；5：第二立柱；6：保温板；7：支座；8：工艺管；9：加热丝；10：炉体；11：炉门；12：升降机构；13：热偶；14：晶圆；15：凹槽。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

如图1所示，本实用新型提供的一种晶圆承载装置，固定柱2穿过底板4安装在顶板1和支座7之间，固定柱2设有多根，本实施例中设有三根但不局限于三根，在达到晶圆14支撑固定的基础上，可以简化结构和保持晶圆14的水平度，三根固定柱2布置在底板4的周向上，固定柱2的材质为石英或碳化硅，固定柱2内侧对应设有多个凹槽15，晶圆14支撑在三根固定柱2的凹槽15内，底板4上设有第一通孔，第一通孔可以是单个或多个，第一通孔内设有空心的第一立柱3，第一立柱3的两端分别与顶板1和支座7连接，第一立柱3内设有热偶13用以测量晶圆14的温度，在底板4上安装热偶13减小了热偶与晶圆的距离，使得测量数据更真实反应晶圆的温度，改善了控温效果，提高了工艺质量，第一立柱3内可以放置多根热偶，同时测量不同高度的晶圆14的温度。

如图2所示，优选地，底板4上设有第二通孔，第二通孔内设有空心的第二立柱5，第二立柱5的两端分别与底板4和支座7连接，热偶可根据需求贯穿于第二立柱5，测量工艺管8内不同高度的温度，满足其他测试的需求。