[实用新型]一种LED结构有效
申请号: | 201420223119.0 | 申请日: | 2014-05-04 |
公开(公告)号: | CN203850340U | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 林朝晖;邱新旺 | 申请(专利权)人: | 泉州市金太阳照明科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H01L33/48;H01L25/075 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED领域,尤其涉及一种LED结构。
背景技术
现有的LED灯条,由于LED结构的功率密度很高,这就需要LED结构器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对散热系统进行优化计。
随着大功率LED芯片的逐渐开发,用于有效地排出LED芯片中所产生的热的技术也随之被开发,为了更提高LED芯片的散热效率,现有一般是通过加大或者加快基板以及线路板来实现LED芯片更好的散热,这样往往使得LED的体积和重量增大,因此其成本也加大。
如果LED芯片的散热无法正常实现,则作为一种半导体部件的LED芯片,因散热波长产生变化,从而产生发黄现象或者光的放射效率会减小,并且在高温下操作时,LED芯片的寿命会缩短,因而对LED芯片所产生的热量有效排出的散热结构加以改善,是封装结构及工艺的核心。
发明内容
为了解决现有技术中的问题,本实用新型的目的是提供一种LED结构,其散热性能能好、结构简单。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种LED结构,包括:基板和至少一颗LED芯片,所述基板的一面上设有线路层和石墨烯层,所述LED芯片设在基板上并与线路层电连接。
优选的,所述基板的另一面上还设有石墨烯层。
优选的,所述基板为玻璃基板。
优选的,所述LED芯片的顶端设有N型电极和P型电极,所述N型电极和P型电极分别通过金线与所述线路层电连接。
优选的,所述LED芯片的底端设有N型电极和P型电极,所述N型电极和P型电极分别通过焊锡与所述线路层电连接。
优选的,所述LED芯片的顶端设有P型电极,底端设有N型电极,所述N型电极通过焊锡与所述线路层电连接,所述P型电极通过金线与所述线路层电连接。
本实用新型采用以上技术方案:通过在LED结构的基板设置石墨烯层,很好的利用了石墨烯的散热性能,使得LED结构可以很好的散热;同时,本实用新型中的基板可以采用玻璃基板,替代了目前使用的陶瓷基板,使得LED光源可以大角度发光,发出的光线可以被充分利用。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明:
图1为本实用新型LED结构实施例一的平面结构示意图;
图2为图1的爆炸结构示意图;
图3为本实用新型LED结构实施例一的局部剖视放大示意图;
图4为本实用新型LED结构实施例二的爆炸结构示意图;
图5为本实用新型LED结构实施例三的局部剖视放大示意图;
图6为本实用新型LED结构实施例四的局部剖视放大示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型在制作过程具体可以为:首先,在刻有线路层的基板表面溅镀一层石墨烯层,然后对石墨烯层进行激光刻蚀,把覆盖住线路层的石墨烯层按线路板正负极不导通的原则进行隔离,以避免线路层的线路短路,也可以更加精确在基板的非线路层区域充分覆盖有石墨烯层,因此可以很好的利用石墨烯层及时的带走线路产生的热量,有助LED结构更好的散热。
实施例一:
如图1和图2所示,本实用新型所述的LED结构,其包括:基板1和LED芯片2,所述基板1的一面上设有线路层11和石墨烯层12,所述石墨烯层12设在非线路层区域,所述LED芯片2设在基板1的一面上并与线路层11电连接,所述基板1为玻璃基板。玻璃基板能使LED封装体全方位发光。
如图3所示,所述LED芯片2的顶端设有N型电极21和P型电极22,所述N型电极21和P型电极22分别通过金线3与所述线路层11电连接。
实施例二:
如图4所示,与实施例一不同的是,本实施例中LED结构的基板1的另一面也设有石墨烯层13。本实施例中在基板1的两面同时设有石墨烯层,进一步提升了散热性能,解决了目前LED行业中散热难的问题。
实施例三:
如图5所示,与实施例一不同的是,本实施例中的,所述LED芯片2的底端设有N型电极21和P型电极22,所述N型电极21和P型电极22分别通过焊锡4与所述线路层11电连接。本实施例结合倒装结构的
LED结构,使得LED芯片产生的热量更好更直接的通过基板散发,具有更好的散热性能。
实施例四:
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