[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。

背景技术

随着个人计算机的日渐普及，液晶显示技术在21世纪迅速发展，并成为目前工业界的新星和经济发展的亮点。在液晶显示蓬勃发展的同时，视角宽、能耗低和响应速度快成为液晶显示器件的迫切要求。目前，高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，ADS)型液晶显示技术具有高速反应、高画质与大视角的特性，非常适合应用于各种动态影像用液晶显示领域。ADS通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

TFT-LCD的主体结构包括阵列基板、彩膜基板以及位于二者之间的液晶层，ADS模式的阵列基板上设置公共电极和像素电极，TFT-LCD工作时，为公共电极施加恒定电压，当需要开启某一像素时，控制栅线将对应的TFT开启，数据线通过开启的TFT将数据信号传送到像素电极，公共电极和像素电极之间因电压差形成电场，电场控制液晶分子偏转实现图像的亮暗显示。

当公共电极位于TFT上方时，公共电极和TFT的有源层之间存在绝缘层，公共电极在图像显示阶段一致施加有电压，因此，TFT的有源层中会耦合出一部分电荷，形成耦合电压，该耦合电压可能会使得TFT的源极和漏极导通，在TFT不需要开启时开启，造成图像显示不良。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及液晶显示装置，用以解决TFT因公共电极与TFT之间存在耦合电压导致TFT开启的问题，且避免液晶层液晶错相的问题。

本实用新型实施例提供的阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上由栅线和数据线围设而成的多个子像素区域，每一子像素区域设置有：薄膜晶体管TFT、位于所述TFT上方的公共电极，以及位于所述公共电极上方的取向膜；

所述取向膜的取向方向与所述栅线的延伸方向具有设定夹角，所述公共电极上与所述TFT对应的区域设置有沿设定方向延伸的镂空区域，所述镂空区域的延伸方向与所述取向膜的取向方向一致。

较佳地，所述TFT包括有源层，所述镂空区域位于所述有源层上方，所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述镂空区域在所述衬底基板上的投影内。

较佳地，所述镂空区域的纵截面的形状为倒梯形。

较佳地，所述镂空区域的横截面为平行四边形。

较佳地，所述镂空区域为倒置四棱台结构。

较佳地，所述倒置四棱台状的镂空区域具有靠近所述取向膜的第一开口和远离所述取向膜的第二开口，所述第一开口图形的任意一边与所述第二开口图形中相平行的一边在衬底基板上的投影之间的距离为1-3μm。

较佳地，所述第一开口图形的任意一边与所述第二开口图形中相平行的一边在衬底基板上的投影之间的距离为1.5μm。

较佳地，所述公共电极为面状电极或狭缝状电极；

所述狭缝状电极的狭缝在公共电极上的分布区域与所述子像素区域中除TFT之外的区域相对应。

较佳地，还包括位于所述子像素区域的像素电极，所述像素电极位于所述公共电极的下方与所述公共电极相绝缘，所述像素电极为狭缝状电极层。

本实用新型实施例提供一种液晶显示装置，包括上述任一方式的阵列基板。

本实用新型实施例提供的阵列基板，针对薄膜晶体管TFT像素阵列，且针对公共电极位于TFT上方的情况，在公共电极上与TFT对应的区域设置镂空区域，该镂空区域可以减少或完全避免公共电极与TFT有源层之间的交叠，避免或降低了公共电极与TFT之间的耦合电压，解决了TFT因公共电极与TFT之间存在耦合电压导致TFT开启的问题。并且，所述镂空区域的延伸方向与所述取向膜的取向方向一致，公共电极上在镂空区域对应的区域形成段差，取向膜依照公共电极的表面形状设置于其上，与所述段差对应的区域形成凹陷区域，该凹陷区域在水平面内的延伸方向与取向膜的取向方向一致，靠近取向膜与镂空区域对应区域的所有液晶分子的初始排列方向与取向膜的取向方向一致，不会造成液晶分子错相的问题，避免因液晶分子初始排列错相导致液晶显示装置漏光的问题。

附图说明