[实用新型]一种像素结构、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种像素结构、阵列基板和显示装置。

背景技术

在液晶显示屏领域的ADS(Advanced-super Dimension Switch，高级超维场转换)显示技术中，最常见的5Mask和4Mask工艺制程，其第一公共电极(即COM电极)都是单层的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)COM电极结构，电阻比较大。以5Mask工艺产品为例，得到的像素结构平面图如图1所示，对构成TFT的源极、漏极和栅极的放大图如图2所示，像素结构的截面图如图3所示。其中第二公共电极09为狭缝状，参见图2，图2中还有与图3中栅极02连接的栅线14，以及与图3中源极07连接的数据线15。

在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示)领域中，In-Cell技术和High-Resolution(高分辨率)技术会经常采用Mo层公共电极和ITO层公共电极相结合的方式做COM电极，现有技术中为了减小单层的ITO层公共电极的电阻，在进行像素结构设计时，一般在栅线(Gate)层除了设计栅极之外，还设计有第一公共电极(Mo层公共电极)，如图1所示。Mo层公共电极通过PVX(钝化层)上的过孔与ITO层公共电极导通，双层结构可以减小COM电极层的电阻。

但是由于Mo层公共电极和Mo层栅极相隔较近，间距较小，导通ITO层公共电极和Mo层公共电极的PVX孔关键尺寸偏差(即CD Bias)较大，刻蚀时容易刻蚀到Mo层的栅极，从而导致Mo层公共电极与Mo层栅极之间很容易通过ITO层COM公共电极导通，从而引发短路问题。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是如何避免同层的不同电极被短路的问题。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种像素结构，包括同层不相连的第一信号电极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方的绝缘层，且绝缘层上方对应第一信号电极与第二信号电极之间还设置有保护层。

进一步地，所述第一信号电极和第二信号电极均为导电金属。

进一步地，所述第一信号电极为栅极，第二信号电极为第一公共电极，所述绝缘层为栅绝缘层。

进一步地，所述栅极与第一公共电极之间具有第一过孔，栅绝缘层覆盖在栅极、第一公共电极以及第一过孔的上方，栅绝缘层上还设置有半导体层以及像素电极。

进一步地，所述保护层设置在所述栅绝缘层上对应第一过孔的位置，所述保护层与像素电极同层不相连。

进一步地，所述半导体层上方还设置有源极和漏极，源极和漏极之间的半导体层形成沟道。

进一步地，所述源极、漏极、保护层、像素电极以及裸露的栅绝缘层上方还设置有钝化层。

进一步地，所述钝化层上方还设置有第二公共电极，所述第二公共电极通过第二过孔与第一公共电极连接。

为解决上述技术问题，本实用新型还提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及衬底基板上的像素结构，所述像素结构为权利要求以上所述的像素结构。

为解决上述技术问题，本实用新型还提供了一种显示装置，包括以上所述的阵列基板。

(三)有益效果

本实用新型实施例提供的一种像素结构，其中像素结构中包括同层不相连的第一信号电极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方的绝缘层，且绝缘层上方还设置有保护层。通过与像素电极同层的保护层遮住绝缘层，以便进行像素电极构图的刻蚀过程对第一信号电极与第二信号电极之间第一过孔位置处的绝缘层进行保护，防止对钝化层刻蚀过程中由于过刻蚀造成本该保留的绝缘层被刻蚀掉，从而避免位于同层的不同金属电极之间被钝化层上方的第二公共电极导通而发生短路的问题。同时，本实用新型还提供了基于上述像素结构的阵列基板和显示装置。

附图说明

图1是现有技术中5Mask工艺制作得到的像素结构的平面图；

图2是对图1中构成TFT的源极、漏极和栅极的放大图；

图3是图1中像素结构的截面图；

图4是本实用新型实施例中提供的像素结构的平面图；

图5是本实用新型实施例中对图4中构成TFT的源极、漏极和栅极的放大图；

图6是本实用新型实施例中像素结构的截面图。

附图标记：