[实用新型]一种像素结构、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201420221857.1 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN203941901U | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李少英;黄炜赟;董向丹 | 申请（专利权）人： | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 像素 结构 阵列 显示装置 | ||
1.一种像素结构，其特征在于，包括同层不相连的第一信号电极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方的绝缘层，且绝缘层上方对应第一信号电极与第二信号电极之间还设置有保护层。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一信号电极和第二信号电极均为导电金属。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一信号电极为栅极，第二信号电极为第一公共电极，所述绝缘层为栅绝缘层。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述栅极与第一公共电极之间具有第一过孔，栅绝缘层覆盖在栅极、第一公共电极以及第一过孔的上方，栅绝缘层上还设置有半导体层以及像素电极。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述保护层设置在所述栅绝缘层上对应第一过孔的位置，所述保护层与像素电极同层不相连。
6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述半导体层上方还设置有源极和漏极，源极和漏极之间的半导体层形成沟道。
7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述源极、漏极、保护层、像素电极以及裸露的栅绝缘层上方还设置有钝化层。
8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述钝化层上方还设置有第二公共电极，所述第二公共电极通过第二过孔与第一公共电极连接。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及衬底基板上的像素结构，所述像素结构为权利要求1-8中任一项所述的像素结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
