[实用新型]一种可调节压力的硅片对准器

说明书

技术领域

本实用新型属半导体硅片制造领域，具体为一种可调节压力的硅片对准器。

背景技术

在化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPlanarization，简称CMP)是一种能提供硅片全局和局部平坦化的工艺技术。化学机械研磨工艺已被广泛用于层间介质、金属层或浅沟槽隔离的去除和平整，成为半导体制造中重要的工艺。

CMP是在一定的压力下通过硅片和研磨垫之间的相对运动来平坦化硅片表面。在化学机械研磨工艺中，由于硅片长时间在研磨垫上研磨，研磨都会对硅片产生物理性的损害，使其内部产生压/拉应力，研磨次数多之后，硅片内部硅材料应力变大，硅片内部损伤累积。

硅片经过CMP研磨工艺处理后，硅片在对准器定位时，需由吸盘吸附硅片缓慢旋转寻找硅片缺口，由于硅片之前已受CMP工艺机械损伤，此时，如吸盘吸附硅片的压力过大，很容易导致硅片破碎，导致生产成本增加，因此，为了减少硅片破碎概率，合理控制硅片对准器的吸盘吸附硅片的压力值成为本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

针对现有技术的不足之处，本实用新型的目的是提供一种可调节压力的硅片对准器，减少碎片概率，合理控制硅片对准器的吸盘吸附硅片的压力值。

本实用新型目的通过下述技术方案来实现：

本实用新型提供了一种可调节压力的硅片对准器，包括依次连接的吸盘、真空管和真空泵，所述吸盘的内侧面用于吸附硅片，吸盘的外侧面连接真空管，还包括依次连接的压力检测装置、控制器及调压装置；所述压力检测装置安装在真空管与真空泵的接头处，用于检测所述真空管内的压力值并反馈至所述控制器，所述调压装置安装在真空管上，用于调整所述吸盘吸附硅片的压力值，所述控制器根据所述压力检测装置检测的压力值控制所述调压装置的开关。

优选的，所述吸盘的内侧面设有多圈凸环。

优选的，所述吸盘为橡胶吸盘。

优选的，所述吸盘安装在对准器平台上。

优选的，所述吸盘相对于所述对准器平台可旋转。

优选的，所述对准器平台上设有多个用于夹持硅片的夹持件。

优选的，所述对准器平台上设有用于寻找硅片缺口的对准器。

本实用新型通过在硅片对准器的真空管上设置压力检测装置、控制器及调压装置，控制器根据所述压力检测装置检测的压力值控制所述调压装置的开关，减少硅片破碎概率，合理控制硅片对准器的吸盘吸附硅片的压力值，降低了成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型可调节压力的硅片对准器的结构示意图；

图中标号说明如下：

100、吸盘；200、真空管；300、真空泵；400、压力检测装置；500、调压装置；600、凸环；700、对准器平台；800、夹持件；900、对准器；1000、控制器。

具体实施方式

以下将配合图式及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，藉此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。

如图1所示，本实用新型提供了一种可调节压力的硅片对准器，包括依次连接的吸盘100、真空管200和真空泵300，吸盘100的内侧面用于吸附硅片，吸盘100的外侧面连接真空管200，还包括依次连接的压力检测装置400、控制器1000及调压装置500；压力检测装置400安装在真空管200与真空泵300的接头处，用于检测真空管200内的压力值并反馈至控制器1000，调压装置500安装在真空管200上，用于调整吸盘100吸附硅片的压力值，控制器1000根据压力检测装置400检测的压力值控制调压装置500的开关。

为了提高检测的准确性，可在真空管200的不同位置设有多个压力检测装置400，控制器1000根据所述压力检测装置400检测的压力值控制调压装置500的开关，超过预设的压力值范围，则启动调压装置。

本实施例中，所述吸盘100的内侧面设有多圈凸环，吸盘100优选为橡胶吸盘，吸盘100安装在对准器平台700上并相对于对准器平台700可旋转。此外，对准器平台700上设有多个用于夹持硅片的夹持件800以及用于寻找硅片缺口的对准器900。