[实用新型]一种相变存储器加热电极及相变存储器有效
| 申请号： | 201420162810.2 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN203871379U | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 孔涛;张杰;黄荣;卫芬芬;程国胜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 加热 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变存储器，其特征在于，包括：
衬底；
纳米锥模板，形成于所述衬底上，所述纳米锥模板包括至少一个锥体；
金属薄膜，覆盖于所述纳米锥模板上，位于所述每个锥体表面的金属薄膜构成一加热电极；
绝缘介质层，形成于所述金属薄膜上，定义所述加热电极的顶端为接触端，该接触端曝露在所述绝缘介质层的上方；
相变材料层，与所述加热电极的接触端接触。
2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述加热电极的接触端埋入在所述相变材料层下方。
3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述纳米锥模板的材质为InGaN。
4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述锥体的高度为500~1000nm，顶端的直径为7~8nm，底部的直径为300~400nm。
5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述金属薄膜的材质选自W或TiW；所述绝缘介质层的材质选自SiO2或SiNx，其中x为正整数；所述相变材料层的材质选自Ge2Sb2Te5、N掺杂Ge2Sb2Te5、O掺杂Ge2Sb2Te5、Ge1Sb2Te4。
6.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述接触端的高度为5~10nm。
7.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述绝缘介质层的上表面位于同一水平面上。
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