[实用新型]影像传感器封装结构有效
申请号: | 201420155464.5 | 申请日: | 2014-04-01 |
公开(公告)号: | CN203839380U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 王之奇;喻琼;杨莹;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华;应战 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 封装 结构 | ||
1.一种影像传感器封装结构,其特征在于,包括:
影像传感器芯片,所述影像传感器芯片的上表面上具有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘;
空腔壁,位于影像感应区和第一焊盘之间的影像传感器芯片的上表面上,空腔壁环绕所述影像感应区,在影像感应区上形成空腔;
金属凸点,位于所述第一焊盘上;
位于影像传感器芯片上的PCB基板,所述PCB基板中具有贯穿PCB基板的第一开口,所述第一开口的周围的PCB基板上具有第二焊盘,所述PCB基板的远离第二焊盘的表面上具有镜头模组,所述PCB基板上的第二焊盘与影像传感器芯片上的第一焊盘通过金属凸点键合。
2.如权利要求1所述的影像传感器封装结构,所述镜头组件包括透镜和透镜支架。
3.如权利要求2所述的影像传感器封装结构,其特征在于,所述透镜的位置对应于PCB基板的第一开口的位置,所述第一开口的尺寸大于空腔壁的尺寸。
4.如权利要求3所述的影像传感器封装结构,其特征在于,所述空腔壁的高度大于所述金属凸点的高度。
5.如权利要求4所述的影像传感器封装结构,其特征在于,所述空腔壁高于金属凸点顶部的高度为10~50微米。
6.如权利要求1所述的影像传感器封装结构,其特征在于,所述第一开口的尺寸小于空腔壁的尺寸。
7.如权利要求6所述的影像传感器封装结构,其特征在于,所述空腔壁的高度小于所述金属凸点的高度,所述空腔壁与PCB板的表面接触。
8.如权利要求6所述的影像传感器封装结构,其特征在于,所述空腔壁的高度大于所述金属凸点的高度,第一开口两侧的PCB板内形成有凹槽,凹槽的位置与空腔壁的位置对应,所述金属凸点的高度与凹槽的深度之和大 于空腔壁的高度,所述空腔壁位于凹槽内且与凹槽的底部接触。
9.如权利要求6所述的影像传感器封装结构,其特征在于,所述第一开口两侧的PCB基板上形成有凸块,空腔壁与凸块的总高度小于所述金属凸点的高度,所述空腔壁的顶部与凸块相接触。
10.如权利要求1所述的影像传感器封装结构,其特征在于,所述空腔壁和影像传感器芯片表面之间具有粘合层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的