[实用新型]半导体集成电路和半导体模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及例如用于对半导体开关元件进行驱动的半导体集成电路和半导体模块。

背景技术

公知有将功率因数改善电路和逆变器电路密封在单个树脂封装内的以往的半导体模块（专利文献1）。以往的半导体模块包含构成功率因数改善电路的半导体元件和构成逆变器电路的半导体元件。此外，以往的半导体模块包含对功率因数改善电路和逆变器电路的开关元件进行驱动的半导体集成电路。由于以往的半导体模块集成了多个电路部件，因此有助于自身所安装的电路基板的小型化。

专利文献1：日本特开2002-233165

实用新型内容

本实用新型提供如下的半导体集成电路和半导体模块：在半导体模块的异常时可靠地使开关元件断开，从而具有高可靠性。

根据本实用新型的一个方式，提供一种半导体集成电路，其用于对逆变器电路进行驱动，所述逆变器电路包含串联连接在直流电源部的第1输出端与第2输出端之间的第1开关元件和第2开关元件，该半导体集成电路的特征在于，具有：高压侧驱动部，其与所述第1开关元件连接；低压侧驱动部，其与所述第2开关元件连接；以及保护信号输出部，其至少在所述逆变器电路的异常时，将保护信号输出到所述高压侧驱动部和所述低压侧驱动部，所述高压侧驱动部具有输出高压侧内部控制信号的高压侧信号处理部，所述低压侧驱动部具有输出低压侧内部控制信号的低压侧信号处理部。

所述高压侧信号处理部具有第1高压侧逻辑部，该第1高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出，所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。

所述高压侧驱动部具有高压侧脉冲信号输出部，该高压侧脉冲信号输出部输出基于所述高压侧内部控制信号的置位脉冲信号和复位脉冲信号。

所述高压侧脉冲信号输出部具有第2高压侧逻辑部，该第2高压侧逻辑部与所述保护信号输出部连接，在接收到所述保护信号时抑制所述置位脉冲信号的输出。

所述高压侧信号处理部具有第1高压侧逻辑部，该第1高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出，所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。

所述半导体集成电路具有保护脉冲信号输出部，该保护脉冲信号输出部与所述保护信号输出部连接，所述保护脉冲信号输出部在接收到所述保护信号时输出保护脉冲信号。

所述高压侧脉冲信号输出部具有第4高压侧逻辑部，该第4高压侧逻辑部与所述保护脉冲信号输出部连接，在接收到所述保护脉冲信号时输出所述复位脉冲信号。

所述高压侧脉冲信号输出部具有第3高压侧逻辑部，该第3高压侧逻辑部与所述保护信号输出部连接，在接收到所述保护信号时抑制所述置位脉冲信号的输出。

所述高压侧信号处理部具有第1高压侧逻辑部，该第1高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出，所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。

所述直流电源部是功率因数改善电路，该功率因数改善电路包含功率因数改善开关元件，在所述第1输出端与第2输出端之间输出直流电力，所述半导体集成电路具有与所述功率因数改善开关元件连接的功率因数改善电路驱动部。

所述高压侧驱动部具有高压侧脉冲信号输出部，该高压侧脉冲信号输出部输出基于所述高压侧内部控制信号的置位脉冲信号和复位脉冲信号。

所述半导体集成电路具有保护脉冲信号输出部，该保护脉冲信号输出部与所述保护信号输出部连接，所述保护脉冲信号输出部在接收到所述保护信号时输出保护脉冲信号。

所述高压侧脉冲信号输出部具有第4高压侧逻辑部，该第4高压侧逻辑部与所述保护脉冲信号输出部连接，在接收到所述保护脉冲信号时输出所述复位脉冲信号。

所述高压侧脉冲信号输出部具有第3高压侧逻辑部，该第3高压侧逻辑部与所述保护信号输出部连接，在接收到所述保护信号时抑制所述置位脉冲信号的输出。

所述高压侧信号处理部具有第1高压侧逻辑部，该第1高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出，所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。

根据本实用新型的另一个方式，提供一种半导体模块，其特征在于，该半导体模块具有上述的半导体集成电路、直流电源部以及逆变器电路。