[实用新型]一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件

权利要求书

1.一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，其特征在于它包括引线(1)、金属化层(2)、密封环(3)、焊料(4)、固体绝缘材料(5)、过渡层(6)、管座(7)、多层复合材料(8)、玻璃-金属复合材料(9)、硼硅玻璃基座(10)、金属电极(11)和芯片(12)，固体绝缘材料(5)固定在管座(7)上，固体绝缘材料(5)与管座(7)的连接面设置有金属化层(2)，固体绝缘材料(5)与金属化层(2)通过高温烧结成一体，金属化层(2)与管座(7)之间通过焊料(4)的烧结作用形成过渡层(6)，引线(1)贯穿固体绝缘材料(5)，引线(1)向下穿出管座(7)方向的固体绝缘材料(5)外表面处设置有密封环(3)，密封环(3)与固体绝缘材料(5)之间通过焊料(4)烧结成一体，引线(1)与密封环(3)的内孔表面通过焊料(4)烧结成一体，引线(1)向上穿出管座(7)方向的固体绝缘材料(5)外表面处设置有多层复合材料(8)、玻璃-金属复合材料(9)和硼硅玻璃基座(10)，向上穿出管座(7)方向的引线(1)顶端设置有金属电极(11)，金属电极(11)的下表面与引线(1)通过玻璃-金属复合材料(9)烧结成一体，金属电极(11)的上表面与芯片(12)的下表面相贴合，玻璃-金属复合材料(9)的外表面设置硼硅玻璃基座(10)，硼硅玻璃基座(10)外表面设置多层复合材料(8)，芯片(12)的下表面与硼硅玻璃基座(10)静电封接，硼硅玻璃基座(10)的四个外侧立面与多层复合材料(8)的四个内侧立面烧结成一体，多层复合材料(8)的底面与固体绝缘材料(5)的上表面烧结成一体。 

2.根据权利要求1所述的一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，其特征在于所述的管座(7)的材质为可伐、不锈钢、钽或Inconel625合金。 

3.根据权利要求1所述的一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，其特征在于所述的焊料(4)为镍或Ag-Cu。 

4.根据权利要求1所述的一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，其特征在于所述的芯片(12)为SOI芯片，SOI芯片中心为硅敏感膜；所述的金属电极(11)为Pt₅Si₂-Ti-Pt-Au四层金属结构导电系统。 

5.根据权利要求1所述的一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，其特征在于所述的玻璃为硅酸盐、硼硅酸盐、磷酸盐、硼硅酸锌、钠钙玻璃、硅酸铅或硼酸铅锌；所述的金属为金、银、钯或铂。 

6.根据权利要求1所述的一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，其特征在于固体绝缘材料(5)与金属化层(2)在真空环境下高温烧结；引线(1)、密封环(3)、管座(7)在连接处电镀镍层；引线(1)、密封环(3)、管座(7)与固体绝缘材料通过焊料(4)在保护气氛下烧结；硼硅玻璃基座(10)的四个外侧立面与多层复合材料(8)的四 个内侧立面在低温下烧结成一体，多层复合材料(8)的底面与固体绝缘材料(5)的上表面在低温下烧结成一体；金属电极(11)的下表面与引线(1)通过玻璃-金属复合材料(9)在低温下烧结成一体。 

7.根据权利要求1所述的一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，其特征在于引线(1)、密封环(3)的材料为可伐合金，其型号为4J29。