[实用新型]一种耐高压光电耦合器

权利要求书

1.一种耐高压光电耦合器，包括密闭管壳（5），分别连接在所述密闭管壳（5）首尾两端的信号输入端（1）和信号输出端（2），所述密闭管壳（5）内部相对的两个侧壁上分别设置半导体发光器（3）和半导体受光器（4），所述半导体发光器（3）与所述信号输入端（1）电连接，所述半导体受光器（4）与所述信号输出端（2）电连接；其特征是:所述半导体发光器（3）与所述半导体受光器（4）固定在同一水平面上；在所述半导体发光器（3）与所述半导体受光器（4）之间、且靠近所述半导体受光器（4）固定一凸透镜（8），所述凸透镜（8）两个顶点与一端的所述半导体发光器（3）凹槽两端点之间的连线范围内、以及与另一端所述半导体受光器（4）两端点之间的连线范围内均点混合胶（10）。

2.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器，其特征是：所述半导体发光器（3）载光元件区设置成凹槽型，所述半导体受光器（4）载光元件区设置成平面型。

3.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器，其特征是：所述混合胶（10）包括绝缘胶、矽胶和胶饼。

4.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器，其特征是：所述密闭管壳（5）内部除去所述半导体发光器（3）、所述半导体受光器（4）、混合胶（10）以及凸透镜（8）以外剩余的空间均通过黑色环氧树脂（11）封装。

5.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器，其特征是：所述密闭管壳（5）采用不透光的黑色绝缘材质的管壳。

6.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器，其特征是：所述半导体发光器（3）的发光源为红外发光二级管（6），所述半导体受光器（4）的受光源为光敏三极管（7）。