[发明专利]一种碳化硅器件终端结构的制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅器件终端结构的制作方法，依次包括以下步骤：

S101.清洗碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包含第一和第二表面；

S102.沉积第一掩膜材料，所述第一掩膜材料覆盖所述碳化硅衬底的第一表面；

S103.第一掩膜材料图形化，暴露出部分碳化硅衬底的第一表面；

S104.沉积第二掩膜材料，所述第二掩膜材料覆盖图形化的第一掩膜材料及暴露出的碳化硅衬底第一表面；

S105.第二掩膜材料图形化，暴露出部分碳化硅衬底的第一表面，所述图形化的第二掩膜材料部分或全部覆盖图形化的第一掩膜材料；

S106.刻蚀碳化硅衬底形成第一凹槽，所述第一凹槽底部和侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构；

S107.去除第二掩膜材料，暴露出图形化的第一掩膜材料和碳化硅衬底的第一表面；

S108.刻蚀碳化硅衬底形成第二凹槽；

S109.去除第一掩膜材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S108刻蚀碳化硅衬底形成第二凹槽中，所述第二凹槽底部和侧壁的转角处以及第二凹槽底部与第一凹槽侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S108刻蚀碳化硅衬底形成第二凹槽中，第二凹槽侧壁与碳化硅衬底第一表面之间的角度为80～95°。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S107去除第二掩膜材料中，去除第二掩膜材料，而不损伤第一掩膜材料及碳化硅衬底。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S105第二掩膜材料图形化之后还包括步骤：沉积第三掩膜材料并图形化，所述图形化的第三掩膜材料部分或全部覆盖图形化的第二掩膜材料和第一掩膜材料。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步骤S106刻蚀碳化硅衬底形成第一凹槽之前还包括步骤：刻蚀碳化硅衬底形成第三凹槽，去除第三掩膜材料。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每次刻蚀碳化硅衬底步骤之前，还包括湿法腐蚀或干法刻蚀掩膜材料，在掩膜材料边缘形成凸起的圆弧状的过渡形貌。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述碳化硅衬底为裸片，或包含不同的掺杂区域，所述掺杂区域为n型或p型掺杂，不同的区域具有不同的掺杂浓度，或在衬底的第一表面和/或第二表面包含外延层，所述外延层为n型或p型，不同的外延层区域具有不同的掺杂浓度。

9.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述碳化硅衬底的第一表面和/或第二表面包含绝缘层和/或金属层，所述绝缘层是氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺或其复合结构，所述金属层和碳化硅半导体表面形成肖特基接触和/或欧姆接触，所述金属层是钨、铬、铂、钛、银、金、铝、镍、铜或其合金及复合结构。