[发明专利]多晶硅基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201410850901.X | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104538350A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 唐丽娟 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 硅基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种多晶硅基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一基板；
在所述基板上依次形成非晶硅层、绝缘层以及金属催化剂层；
对所述基板进行一次退火，以使所述金属催化剂层中的金属离子经所述绝缘层向下扩展至所述非晶硅层，进而诱导所述非晶硅层中的非晶硅进行一次结晶；
移除所述绝缘层以及所述金属催化剂层；
对所述基板进行二次退火，以使所述金属离子沿所述非晶硅层进行侧向扩散，进而诱导所述非晶硅层中的非晶硅进行二次结晶，并形成多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述一次退火的温度为500-600摄氏度。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述二次退火的温度为550-650摄氏度。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上依次形成非晶硅层、绝缘层以及金属催化剂层的步骤之前进一步包括：
在所述基板上形成缓冲层；
所述在所述基板上依次形成非晶硅层、绝缘层以及金属催化剂层的步骤包括：
在所述缓冲层上依次形成所述非晶硅层、所述绝缘层以及所述金属催化剂层。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲层为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种或任意组合。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种或任意组合。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属催化剂层为Ni、Pd、Ti、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cr和Mo中的至少一种或任意组合。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述基板进行一次退火的步骤之前进一步包括：
对所述金属催化剂层进行图案化。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述基板进行二次退火的步骤之后进一步包括：
对所述多晶硅层进行图案化。
10.一种多晶硅基板，其特征在于，所述多晶硅基板由权利要求1-9任意一项的制造方法制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司;，未经深圳市华星光电技术有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410850901.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阵列基板及其制造方法、显示装置
- 下一篇：过孔和显示基板的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
