[发明专利]等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置

权利要求书

1.一种等离子蚀刻处理方法，其用于在处理容器内对被处理基板进行等离子蚀刻处理，其中，

该等离子蚀刻处理方法包括：

将被处理基板保持在设于上述处理容器内的保持台上的工序；

将等离子蚀刻用气体供给到上述处理容器内的工序；

将等离子激励用的微波导入上述处理容器内的工序；

将上述处理容器内的压力设为50mTorr～200mTorr的工序；

将电介质板配置在与上述保持台相面对的位置、在该电介质板的下部侧设有凹陷成锥状的环状凹部、将上述电介质板与上述保持台之间的间隔设为100mm以上、经由上述电介质板将上述微波导入上述处理容器内、而使上述处理容器内产生上述等离子蚀刻用气体的等离子体的工序；

对上述被处理基板施加自身偏压并利用上述等离子体对上述被处理基板进行等离子蚀刻处理，

其中，上述等离子体的电子温度小于10eV。

2.根据权利要求1所述的等离子蚀刻处理方法，其中，

上述被处理基板为半导体基板，在利用上述等离子体对包括形成在上述半导体基板上的突状部在内的层进行了蚀刻时，在形成在相邻的上述突状部之间的凹部中的上述突状部的侧部上堆积的沉淀物变少，上述凹部的底面与侧壁之间接近直角，抑制微型加载效应以及疏密形状不均。

3.根据权利要求2所述的等离子蚀刻处理方法，其中，

上述层为多晶硅类覆膜。

4.根据权利要求3所述的等离子蚀刻处理方法，其中，

上述处理工序包括对上述多晶硅类覆膜进行等离子蚀刻处理的工序。

5.一种等离子蚀刻处理装置，其中，

该等离子蚀刻处理装置包括：

处理容器，其在内部对被处理基板进行等离子蚀刻处理；

反应气体供给部，其将等离子蚀刻处理用反应气体供给到上述处理容器内；

保持台，其配置在上述处理容器内，在该保持台上保持上述被处理基板；

微波产生器，其用于产生等离子激励用的微波；

电介质板，其被配置在与上述保持台相面对的位置，在该电介质板的下部侧设有凹陷成锥状的环状凹部，该电介质板将上述微波导入上述处理容器内；

控制部，其进行控制，以实施权利要求1～4中任意一项所述的等离子蚀刻处理方法，而使上述保持台与上述电介质板之间的间隔为100mm以上，并使等离子蚀刻处理时的上述处理容器内的压力为50mTorr～200mTorr，利用自身偏压而对上述被处理基板进行等离子蚀刻处理。