[发明专利]激光结晶系统及其晶化能量控制方法在审
申请号: | 201410837007.9 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN104465345A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 王志刚;李子健;唐丽娟;李勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 结晶 系统 及其 能量 控制 方法 | ||
1.一种激光结晶系统,其特征在于,所述激光结晶系统包括:
Mura监控设备,用于监控晶化过程中的实时Mura状况;
主机台,与所述Mura监控设备相连接,用于判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别,并根据所述实时级别生成晶化能量控制指令;
结晶设备,与所述主机台相连接,用于执行所述主机台生成的所述晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。
2.根据权利要求1所述的激光结晶系统,其特征在于,所述主机台包括:
存储模块,用于存储Mura状况的实时级别与所述晶化能量控制指令的一一对应关系的对应表;
判断模块,用于根据所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况从所述存储模块查找相对应级别的晶化能量控制指令。
3.根据权利要求2所述的激光结晶系统,其特征在于,所述判断模块,还用于判断所述实时Mura状况的实时级别是否达到预设阈值,且在判断到小于所述预设阈值时,不执行生成晶化能量控制指令的过程,使得所述结晶设备保持原有的晶化能量输出级别。
4.一种激光结晶系统的晶化能量控制方法,其特征在于,所述晶化能量控制方法包括:
通过Mura监控设备监控晶化过程中的实时Mura状况;
判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别,并根据所述实时级别生成晶化能量控制指令;
执行所述晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。
5.根据权利要求4所述的晶化能量控制方法,其特征在于,所述晶化能量控制方法还包括:
存储Mura状况的实时级别与所述晶化能量控制指令的一一对应关系的对应表;
所述根据所述实时级别生成晶化能量控制指令的步骤,具体包括:
根据所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况从所述对应表中查找相对应级别的晶化能量控制指令。
6.根据权利要求5所述的晶化能量控制方法,其特征在于,所述判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别的步骤,还包括:
判断所述实时Mura状况的实时级别是否达到预设阈值,且在判断到小于所述预设阈值时,不执行生成晶化能量控制指令的过程,使得保持原有的晶化能量输出级别。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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