[发明专利]一种金合金靶材及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种金合金靶材及其制备方法，主要用于GaAs基半导体器件的欧姆接触制作，属于冶金和压延加工技术领域。

背景技术

GaAs基半导体材料是化合物半导体中最重要、用途最广泛的半导体材料，是目前研究得最成熟、生产量最大的化合物半导体材料，也是微电子和光电子的基础材料。由于GaAs具有电子迁移率高、禁带宽度大且为直接带隙，容易制成半绝缘材料、本征载流子浓度低、光电特性好、以及具有耐热、抗辐射性能好和对磁场敏感等优良特性，用GaAs材料制作的半导体器件频率响应好、速度快、工作温度高，能满足集成光电子的需要。它是目前最重要的光电子材料，也是继硅材料之后最重要的微电子材料，它适合于制造高频、高速的器件和电路。

GaAs基半导体器件具备超高速、低功耗、多功能、抗辐射等特点，主要应用于智能化武器、航空航天、军事通信、雷达等军事领域，此外在手机、光纤通信、图像处理、照明等民用商用领域也有着广泛应用。

常规的GaAs半导体器件欧姆接触制备方法是，在GaAs半导体表面溅射AuGe合金薄膜后，在一定温度、时间条件下进行金属化处理。在金属化过程中，随着温度的升高，AuGe薄膜开始熔化，Ga扩散到金属中去，而锗作为两性掺杂物，以约为2×10¹⁹cm^-3的密度掺杂到GaAs中，占据Ga的晶格位置，形成高掺杂的合金层，实现金属-半导体的欧姆接触。在GaAs半导体器件欧姆接触原理中，Ga和Ge的相互扩散是形成欧姆接触的基础，但Ge过度扩散会抬高欧姆接触电阻值，破坏接触性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Au-Ge-Ni金基合金靶材，该靶材用于GaAs基半导体器件磁控溅射镀膜，该靶材成分配比合理，可推广应用于多种GaAs基半导体器件的欧姆接触制备。

本发明的另一目的在于提供一种所述Au-Ge-Ni金基合金靶材的制备方法，该方法简单，利于批量生产。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种Au-Ge-Ni金基合金靶材，该靶材由以下含量的成分组成：Ge 9.5～13.5wt％、Ni 4.2～5.8wt％，Au余量。

另一方面，本发明提供一种Au-Ge-Ni金基合金靶材的制备方法，采用“离心铸造-热压-机械加工”方法，包括以下步骤：

(1)备料：选择原料，其中纯度99.99％的金、纯度99.99％的镍、单晶锗；按照各组分的质量百分比称取原料；

(2)离心铸造：将称好的金、镍、锗原料放入离心铸造机的石英坩埚中，抽真空，采用超音频感应熔炼，金属全熔后甩入石墨模；

(3)热压：将得到的板坯在铜加热板上加热至245℃～255℃，采用万吨压机持续压2min，压力维持在180MPa～200MPa；

(4)机械加工：将热压后的板坯进行铣床加工，先采用硬质合金铣刀将板材长、宽、厚尺寸分别铣至比成品尺寸大0.5mm，再用金刚石铣刀进行精加工，最后加工至成品尺寸。

如上所述的制备方法，优选地，所述步骤(2)中离心铸造真空度不低于1.0×10^-1Pa。

如上所述的制备方法，优选地，所述步骤(2)中离心浇铸温度为645℃～655℃，甩臂速度为30r/min～35r/min。

再一方面，本发明提供一种金合金靶材，该靶材是采用如上所述的方法制备的。

又一方面，本发明提供如上所述的金合金作为GaAs基半导体器件磁控溅射镀膜材料的应用。

本发明的有益效果在于以下几个方面：

(1)采用本发明Au-Ge-Ni系统制备的GaAs基半导体器件欧姆接触，具有较低的欧姆接触电阻值和优异的高温稳定性能，解决了目前微电子器件所存在的欧姆接触问题。这是由于靶材中Ni的添加可改变Au-Ge合金原有的单一共晶组织结构，形成GeNi化合物相，在薄膜金属化过程中GeNi化合物可束缚部分Ge，抑制Ge过度向GaAs半导体扩散，降低欧姆接触电阻值。Ni的最佳添加比例实现了最小欧姆接触电阻值。同时该Au-Ge-Ni金基合金靶材可以应用于其他半导体器件的M/S系统中形成欧姆接触，如高电子迁移率晶体管、赝高电子迁移率晶体管等。同时扩大了GaAs基半导体器件的应用空间，将在半导体激光制导跟踪、半导体激光雷达、半导体激光引信、激光测距、激光通信光源等方面有更加广泛应用。