[发明专利]一种掩膜版清洁装置及其清洁方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版清洁装置及其清洁方法。

背景技术

随着显示技术的急速进步，作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

在OLED的制备过程中，常采用真空蒸镀工艺结合掩膜工艺形成图案化的薄膜层。如图1所示，利用掩膜版100，通过步进式(side by side)位移在基板10的表面依次蒸镀上红色11、绿色12以及蓝色13的有机电致发光材料。在此过程中，产生的掩膜污染物会吸附在掩膜版100上，并可能造成掩膜版100开口处的堵塞。这样在上述移位的过程中将导致重复性缺陷以及成膜不均的不良现象的产生。

现有技术中，为了解决上述掩膜版污染的问题，一般采用的掩膜版清洁方法包括：湿式药液浸泡、干式吸集、干式物理性粘附、干式等离子等。其中，干式吸集,是利用物理性抽气方式,利用气流去除掩膜版表面附著的污染物；干式物理性粘附，是利用物理性或化学性粘板，将掩膜版表面附着的污染物粘附去除。然而上述方式均难以清洁微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物，其清洁效果有限。而干式等离子灰化清洁，则是利用高能量等离子，对掩膜版表面污染物进行灰化，该方法能够去除有机污染物与细小粉尘，但很难去除较大的无机污染物，而且在灰化过程中容易对掩膜版表面造成划伤。此外，对于湿式药液浸泡方法而言，是将掩膜版表面的污染物利用有机药液浸泡去除,但此法容易在掩膜版细缝处残留药液，对掩膜版造成腐蚀，降低掩膜版的使用寿命。并且还需要耗费人力、物力对采用湿式药液浸泡的清洁装置进行定期的保养与维护。与此同时，采用在该方法的过程中还会产生废弃溶液对环境造成污染。

发明内容

本发明的实施例提供一种掩膜版清洁装置及其清洁方法，能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，解决掩膜版污染的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种掩膜版清洁方法，包括：

将掩膜版放置于载物台的承载面；

在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s～1000m/s的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。

本发明实施例的另一方面，提供一种掩膜版清洁装置，包括：

腔室，所述腔室用于容纳掩膜版；

干冰喷射设备，所述干冰喷射设备用于朝着所述掩膜版以340m/s～1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。

本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置及其清洁方法。其中，所述清洁方法包括将掩膜版放置于载物台的承载面后，在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s～1000m/s的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。具体的，在干冰颗粒以340m/s～1000m/s的速度连续撞击下，撞击力度不会造成掩膜版表面的损伤，而附着于掩膜版上的污染物表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒进入上述裂缝中，干冰颗粒迅速升华为气体，气体的体积是原干冰颗粒体积的大约700倍，因此迅速增大的气体体积能够将该裂缝进一步扩大，降低了污染物的附着力；另一部分干冰颗粒对污染物的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物最终从掩膜版的表面脱落，最终达到清洁掩膜版的效果。通过上述方法能够有效的去除微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物。此外，由于干冰颗粒不具有腐蚀性因此不会对掩膜版进行腐蚀，并且撞击后的干冰颗粒会迅速升华为二氧化碳，因此不会产生污染介质。从而能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，提升掩膜版的清洁效果，降低生产成本，减小工业污染。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中制作OLED的制作过程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁过程示意图；