[发明专利]阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法。

背景技术

ADS是ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch)的简称，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

通常，ADS模式薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板包括基板、透明像素电极层(通常为ITO，即上述的板状电极)、栅金属层、源漏金属电极层、第二层像素电极层(通常为ITO，即为上述的狭缝状电极)。生产中发现，ITO存在容易晶化，刻蚀困难，刻蚀速率慢的问题，为此，IZO(氧化铟锌)的导入已经成为很多厂商的选择。

如图8所示，一种现有的阵列基板包括：栅电极1、栅电极1上方的栅绝缘层2、有源层3、像素电极4、源电极5以及漏电极6，其中像素电极4的材料为IZO，由于IZO以Zn为主，而源、漏金属电极层材料通常为Mo金属。Mo金属的刻蚀液可以腐蚀IZO金属，所以在制备上述ADS结构的阵列基板时，当刻蚀源漏金属电极层时，形成像素电极4的第一层IZO会同时被腐蚀，这大大影响第一层IZO和源、漏金属电极层的搭接效果，造成第一层IZO和源、漏金属电极层的搭接不良。

发明内容

本发明的目的在于提供一种保证像素电极层不被腐蚀的阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法。

本发明的阵列基板的制造方法，包括：

在有源层上方沉积像素电极层以及源漏电极层；

对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极，形成源电极、漏电极。

本发明的阵列基板的制造方法，其中，所述像素电极的材料是氧化铟锌。

本发明的阵列基板的制造方法，其中，利用包括SF₆和Cl₂的混合气体对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀。

本发明的阵列基板的制造方法，其中，在有源层上方沉积像素电极层以及源漏电极层之后，对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极之前，进行：

在所述源漏电极层上方沉积光刻胶层；

使用灰度掩膜版进行曝光，形成光刻胶去除区域、光刻胶全保留区域和光刻胶部分保留区域，所述光刻胶去除区域与所述有源层相对应；

将光刻胶去除区域对应的像素电极层以及源漏电极层刻蚀去除，暴露出有源层；

对光刻胶全保留区域和光刻胶部分保留区域进行灰化处理，去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，暴露出源漏电极层对应于像素电极区域的部分；且

暴露出像素电极之后，形成源电极、漏电极包括：剥离剩余光刻胶，形成像素电极的图形、源电极以及漏电极的图形，所述像素电极与所述漏电极连接。

本发明的阵列基板的制造方法，其中，所述将光刻胶去除区域对应的像素电极层以及源漏电极层刻蚀去除包括：使用第一刻蚀液对源漏电极层金属进行湿法刻蚀，使用第二刻蚀液对像素电极层金属进行湿法刻蚀，所述第一刻蚀液的横向刻蚀速度大于第二刻蚀液的横向刻蚀速度。

本发明的阵列基板的制造方法，其中，所述第一刻蚀液为包括HNO₃、H₂SO₄、CH₃COOH的混合物，所述第二刻蚀液为包括H₂SO₄、CH₃COOH的混合物。

本发明的阵列基板的制造方法，其中，对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极之后，剥离剩余光刻胶之前，利用包括SF₆、Cl₂和O₂的混合气体对暴露的有源层进行干法刻蚀，以去除有源层的晶化部分。

本发明的阵列基板，包括：

形成于基板上的栅电极；

栅电极上方的栅绝缘层以及有源层；

栅绝缘层以及有源层上的像素电极；

形成于像素电极上方的源电极以及漏电极；

形成于源电极、漏电极上的保护层；

形成于保护层上的公共电极，所述像素电极的材料是氧化铟锌，所述源电极、漏电极由源漏电极层刻蚀形成，源漏电极层的对应于像素电极区域的源漏电极层被干法刻蚀暴露形成所述像素电极。