[发明专利]一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器

权利要求书

1.一种渗B半导体加热温度可调的环境参数集成传感器，其特征在于：它是由硅基底（1）、二氧化硅绝缘层（2）、渗B半导体加热体（3）、渗B半导体加热体焊盘（4）、环境参数传感器单元焊盘（5）、半导体加热电极（6）、氧化铝绝缘层（7）、环境参数传感器单元（8）、环境温湿度传感器（9）、加热体温度传感器单元（10）、连接线（11）和凹槽（12）组成，其结构特征在于通过以下几个步骤实现：

步骤一：准备晶向为（100），规格为 8000×8000×（200~300）（μm³）的硅片作为基底（1），清洁基底（1）的表面；

步骤二：用氢氟酸清洗掉硅上表面已被氧化生成的二氧化硅，然后在硅的上表面通过干氧-湿氧-干氧交替氧化的方法，生长一层致密的二氧化硅绝缘层（2），尺寸为8000×8000×（2~5）（μm³）；

步骤三：在二氧化硅绝缘层（2）上通过光刻和等离子体技术，形成边长为2000（μm）的正八边形渗B形成半导体加热体（3-1），再通过“退火”氧化方式形成一层薄薄的半导体加热体氧化层（3-2）；

步骤四：上述步骤完成后，通过磁控溅射技术，在二氧化硅绝缘层（2）、渗B半导体加热体（3）上溅射生成渗B半导体加热体焊盘（4）、环境参数传感器单元焊盘（5）、半导体加热电极（6），厚度均等，为2~4（μm），并露出渗B半导体加热体焊盘（4）、环境参数传感器单元焊盘（5）；

步骤五：在通过上述步骤形成的整个结构中，再通过磁控溅射技术，溅射一层铝，经氧化后形成一层厚度为5~6（μm）氧化铝绝缘层（7），并露出渗B半导体加热体焊盘（4）和环境参数传感器单元焊盘（5）；

步骤六：氧化铝绝缘层（7）上，再次采用磁控溅射技术，在渗B半导体加热体焊盘（4）和环境参数传感器单元焊盘（5）上生成对应大小的厚度5~6（μm）的渗B半导体加热体焊盘（4）和环境参数传感器单元焊盘（5），再溅射生成厚度为2~4（μm）的渗B半导体加热体焊盘（4）、环境参数传感器单元焊盘（5）、环境参数传感器单元（8）、环境温湿度传感器（9）、加热温度传感器单元（10）和连接线（11）；

步骤七：整体结构形成后，分别用盐酸、HF酸和EPW腐蚀剂对氧化铝绝缘层（7）、二氧化硅绝缘层（2）和硅基底（1）从正面对结构进行腐蚀，再用EPW腐蚀剂从背面对硅基底（1）进行腐蚀，形成凹槽（12），最终生成一种渗B半导体加热温度可调的环境参数集成传感器。