[发明专利]器件晶片的加工方法有效
申请号: | 201410768052.3 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN104733385B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 沟本康隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
提供器件晶片的加工方法,能够实现切割装置的小型化。在槽形成步骤中,在器件晶片的正面形成规定深度的槽,在板粘贴步骤中,借助粘结剂(31)将板(20)粘贴到器件晶片的正面,在磨削步骤中,隔着板(20)将器件晶片保持在保持工作台上,对露出的器件晶片的背面进行磨削来使槽在器件晶片的背面露出,从而分割器件晶片,形成多个芯片(15a~15c)。在膜粘贴步骤中,在器件晶片的背面粘贴膜,在切割步骤中,从背面(102)一侧沿着分割预定线(13)分割膜,在拾取步骤中,从板(20)上拾取各芯片(15a~15c)。板(20)是与器件晶片(10)大致相同的尺寸,因此即使器件晶片(10)大口径化,也能够抑制切割装置大型化。
技术领域
本发明涉及对在正面形成有多个器件的器件晶片进行加工的加工方法。
背景技术
在切割器件晶片时,对在正面形成有多个器件的器件晶片的背面粘贴切割带,所述切割带被粘贴于具有比器件晶片的外径大的内径的开口的、环状的框架,由此,借助切割带将器件晶片安装于框架,然后将器件晶片分割成针对各器件的芯片,由此能够防止被分割而单片化了的芯片变得散乱,使分割前的器件晶片和分割后的芯片的处理容易(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2003-243483号公报
但是,以往的切割装置利用输送构件保持并输送比器件晶片大的框架,因此这是导致装置大型化的主要原因。特别地,在器件晶片是大口径(例如直径450mm)的情况下,框架变得更大,因此存在切割装置大型化的问题。另一方面,对于切割装置,存在希望小型化的要求。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供能够利用小型的切割装置切割大口径的器件晶片的器件晶片的加工方法。
本发明的器件晶片的加工方法用于对器件晶片进行加工,在所述器件晶片的正面的由交叉的多条分割预定线划分出的各区域分别形成有器件,所述器件晶片的加工方法具备如下步骤:槽形成步骤,从器件晶片的正面沿着该分割预定线形成到达器件晶片的加工结束厚度的深度的槽;板粘贴步骤,在实施该槽形成步骤后,借助粘结剂将板粘贴到器件晶片的正面;磨削步骤,隔着该板将器件晶片保持在保持工作台上并使器件晶片的背面露出,利用磨削构件对器件晶片的背面进行磨削而减薄至该加工结束厚度,由此使该槽在器件晶片的背面露出,将器件晶片分割成各个芯片;膜粘贴步骤,在实施该磨削步骤后,将膜粘贴到器件晶片的背面;切割步骤,在实施该膜粘贴步骤后,从器件晶片的背面侧沿着该分割预定线切割该膜来形成在背面粘贴有膜的多个芯片;以及拾取步骤,在实施该切割步骤后,从该板上拾取各个芯片。
优选的是,所述粘结剂是通过施加外部刺激而粘结力下降的粘结剂,在所述拾取步骤中,在对该粘结剂施加该外部刺激后,拾取芯片。并且,优选的是,在所述拾取步骤中,在对所述粘结剂中的与第一芯片对应的区域施加所述外部刺激并拾取该第一芯片后,对该粘结剂中的与接下来拾取的第二芯片对应的区域施加该外部刺激并拾取该第二芯片。
发明效果
根据本发明的器件晶片的加工方法,将器件晶片粘贴于板而不是切割带,并在该状态下进行磨削,分割成各个芯片。通常使用的环状的框架比器件晶片大,与此相对地,板是与器件晶片大致相同的尺寸,因此即使器件晶片大口径化,也能够抑制切割装置大型化。并且,板成为在背面磨削时保护器件的保护部件,因此在磨削步骤中不需要对器件晶片另行粘贴正面保护部件,由此,能够提高生产率,并削减加工成本。
作为粘结剂,使用通过施加外部刺激而粘结力下降的粘结剂,并在拾取步骤中在对粘结剂施加外部刺激后拾取芯片,由此拾取变得容易。
在拾取步骤中,在对粘结剂中的与第一芯片对应的区域施加外部刺激并拾取第一芯片后,对该粘结剂中的与接下来拾取的第二芯片对应的区域施加外部刺激并拾取该第二芯片,由此通过仅对要拾取的芯片施加外部刺激,能够防止拾取前的芯片被剥离而变得散乱。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造