[发明专利]三维双端口位单元及其组装方法

权利要求书

1.一种三维双端口位单元，包括：

锁存器，包括交叉连接的第一反相器和第二反相器；

所述锁存器的第一部分，设置在第一堆积层上，其中，所述第一部分包括多个第一端口元件和所述第一反相器；以及

第二部分，设置在第二堆积层上，所述第二部分使用至少一个通孔与所述第一堆积层垂直堆叠，其中，所述第二部分包括所述锁存器的多个第二端口元件和所述第二反相器。

2.根据权利要求1所述的三维双端口位单元，其中，所述第一部分还包括分别在所述第一堆积层的第一导电层中的第一方向上延伸的多根第一位线并且所述第二部分还包括分别在所述第二堆积层的第一导电层中的所述第一方向上延伸的多根第二位线。

3.根据权利要求2所述的三维双端口位单元，其中，所述第一部分还包括在所述第一堆积层的第二导电层中均在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的多根第一字线并且所述第二部分还包括在所述第二堆积层的第二导电层中的均在所述第二方向上延伸的多根第二字线。

4.根据权利要求1所述的三维双端口位单元，其中，所述多个第一和第二端口元件中的每一个元件均包括至少一个传输栅极器件。

5.根据权利要求4所述的三维双端口位单元，其中，所述至少一个传输栅极器件是NMOS器件和PMOS器件中的一个。

6.根据权利要求1所述的三维双端口位单元，其中，所述多个第一端口元件设置在所述第一堆积层上并且所述多个第二端口元件设置在所述第二堆积层上，使得所述多个第一端口元件中的每一个元件均与所述多个第二端口元件中的每一个元件对称。

7.一种半导体存储器，包括：

第一堆积层，包括第一端口阵列部分；

第二堆积层，使用至少一个通孔与所述第一堆积层垂直堆叠，其中，所述第二堆积层包括第二端口阵列部分；以及

至少一个三维双端口位单元，包括：

锁存器，包括交叉连接的第一反相器和第二反相器；

所述锁存器的第一部分，设置在所述第一端口阵列部分上，其中，所述第一部分包括多个第一端口元件和所述第一反相器；和

所述锁存器的第二部分，设置在所述第二端口阵列部分上，其中，所述第二部分包括多个第二端口元件和所述第二反相器。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，其中，所述第一部分还包括分别在所述第一堆积层的第一导电层中的第一方向上延伸的多根第一位线并且所述第二部分还包括分别在所述第二堆积层的第一导电层中的所述第一方向上延伸的多根第二位线。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器，其中，所述第一部分还包括分别在所述第一堆积层的第二导电层中的不同于所述第一方向的第二方向上延伸的多根第一字线并且所述第二部分还包括分别在所述第二堆积层的第二导电层中的所述第二方向上延伸的多根第二字线。

10.根据权利要求7所述的半导体存储器，其中，所述多个第一和第二端口元件中的每一个元件均包括至少一个传输栅极器件。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器，其中，所述至少一个传输栅极器件是NMOS器件和PMOS器件的一个。

12.根据权利要求7所述的半导体存储器，其中，所述多个第一端口元件设置在所述第一堆积层上并且所述多个第二端口元件设置在所述第二堆积层上，使得所述多个第一端口元件中的每一个元件均与所述多个第二端口元件中的每一个元件对称。

13.根据权利要求7所述的半导体存储器，还包括：设置在所述第一堆积层上的第一控制电路和设置在所述第二堆积层上的第二控制电路。