[发明专利]溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料

权利要求书

1.用于在衬底上溅射沉积膜的方法，其包括以下步骤：

向真空室提供第一和第二靶材，使得待溅射的第一和第二靶材的表面可面向待涂覆的衬底并且彼此平行或倾斜布置，

同时向第一和第二靶材提供电能，和

在该衬底上沉积溅射颗粒同时控制第一和第二靶材的溅射条件，使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过其溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。

2.权利要求1的方法，其中对于第一和第二靶材中的一种或两种，在该另一个靶材的溅射表面上沉积的溅射颗粒的电阻率高于该另一个靶材的电阻率，或者构成在该另一个靶材的溅射表面上沉积的溅射颗粒的材料的溅射速率低于构成该另一个靶材的材料的溅射速率。

3.权利要求1的方法，其中相对于第一和第二靶材设置用于永久分隔第一和第二靶材的溅射表面之间限定的空间的阻挡体部件从而防止从一个靶材射出的溅射颗粒到达该另一个靶材的溅射表面。

4.权利要求3的方法，其中将该阻挡体部件设置在一个区域中，在该区域中它与连接第一靶材的溅射表面上的任何任意点和第二靶材的溅射表面上的任何任意点的所有直线相交。

5.权利要求3的方法，其中将该阻挡体部件固定在真空室中不动。

6.权利要求3的方法，其中该阻挡体部件由导电材料制得并且是电接地的。

7.权利要求1的方法，其中第一和第二靶材是具有不同成分元素的靶材、具有相同成分元素的不同组成的靶材、或具有不同溅射速率的靶材。

8.权利要求1的方法，其中使用包含具有不高于400℃的熔点的金属的材料的含低熔点元素的靶材与包含具有高于400℃的熔点的金属或类金属的材料的含高熔点元素的靶材的组合作为第一和第二靶材。

9.权利要求8的方法，其中具有高于400℃的熔点的金属或类金属是铬。

10.权利要求8的方法，其中具有不高于400℃的熔点的金属是锡。

11.权利要求1的方法，其中溅射是使用反应性气体作为溅射气体的反应溅射。

12.权利要求11的方法，其中反应性气体包含含氧气体。

13.溅射系统，其包含

真空室，其中设置待涂覆的衬底，

在真空室中设置的第一和第二靶材，使得待溅射的第一和第二靶材的表面可面向衬底并且彼此倾斜，和

相对于第一和第二靶材设置的用于永久分隔第一和第二靶材的溅射表面之间限定的空间的阻挡体部件，从而防止从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面。

14.权利要求13的系统，其中将该阻挡体部件设置在一个区域中，在该区域中它与连接第一靶材的溅射表面上的任何任意点和第二靶材的溅射表面上的任何任意点的所有直线相交。

15.权利要求13的系统，其中将该阻挡体部件固定在真空室中不动。

16.权利要求13的系统，其中该阻挡体部件由导电材料制得并且是电接地的。

17.用于制造光掩模坯料的方法，其包括使用权利要求1的溅射沉积方法在透明衬底上沉积功能膜的步骤。

18.用于制造具有在石英衬底上沉积的至少一种功能膜的光掩模坯料的方法，其包括以下步骤：

供给权利要求13的溅射系统，

向该溅射系统提供包含具有不高于400℃的熔点的金属的材料的靶材和包含具有高于400℃的熔点的金属或类金属的材料的另一个靶材，

同时向两个靶材提供电能，和

在石英衬底上溅射沉积功能膜，该功能膜包含具有不高于400℃的熔点的金属和具有高于400℃的熔点的金属或类金属。

19.具有在石英衬底上沉积的至少一种功能膜的光掩模坯料，其中

该功能膜包含具有不高于400℃的熔点的金属和具有高于400℃的熔点的金属或类金属，并且

该功能膜通过如下方法形成：使用权利要求13的溅射系统，向该溅射系统提供包含具有不高于400℃的熔点的金属的材料的靶材和包含具有高于400℃的熔点的金属或类金属的材料的另一个靶材，并且同时向两个靶材提供电能用于实现溅射沉积。

20.光掩模坯料，其通过权利要求17的方法制备。