[发明专利]压印模板的制作方法在审
| 申请号： | 201410731598.1 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105652590A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压印 模板 制作方法 | ||
1.一种压印模板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
掩膜光刻步骤，在采用硅材料制作的母版上涂平一层光刻胶掩 膜，并采用光刻工艺在所述光刻胶掩膜上形成所需的图形；
图形修饰步骤，用于减小所述图形的顶宽；
母版刻蚀步骤，将所述图形复制在所述母版上；
模板制作步骤，利用具有所述图形的母版制作压印模板。
2.如权利要求1所述的压印模板的制作方法，其特征在于，在 所述掩膜光刻步骤中，所述光刻胶掩膜的厚度为1～5μm。
3.如权利要求1所述的压印模板的制作方法，其特征在于，在 所述图形修饰步骤中，刻蚀气体包括氩气和氧气。
4.如权利要求3所述的压印模板的制作方法，其特征在于，在 所述图形修饰步骤中，所述氩气的流量为100～200sccm；所述氧气的 流量为10～50sccm；腔室压力为10～50mT；上电极功率为800～2000W； 下电极功率为20～100W。
5.如权利要求1所述的压印模板的制作方法，其特征在于，根 据所述刻蚀速率和要求的目标刻蚀深度，计算所述母版刻蚀步骤的刻 蚀时间。
6.如权利要求1所述的压印模板的制作方法，其特征在于，在 所述母版刻蚀步骤中，刻蚀气体包括SF6和O2。
7.如权利要求6所述的压印模板的制作方法，其特征在于，所 述O2的流量和腔室压强根据所述母版的图形的刻蚀角度而设定。
8.如权利要求6所述的压印模板的制作方法，其特征在于，在 所述母版刻蚀步骤中，所述SF6的流量为50～100sccm；所述O2的流 量为35～60sccm；腔室压力为35～50mT；上电极功率为500～800W； 下电极功率为60～100W。
9.如权利要求1所述的压印模板的制作方法，其特征在于，所 述模板制作步骤进一步包括以下步骤：
将聚二甲基硅氧烷涂布在已完成所述母版刻蚀步骤的所述母版 表面上；
采用对所述聚二甲基硅氧烷进行固化聚合和脱离处理的方式制 作所述压印模板。
10.如权利要求1所述的压印模板的制作方法，其特征在于，所 述模板制作步骤采用金属电铸的方式制作所述压印模板。
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