[发明专利]半导体器件封装

权利要求书

1.一种制造半导体器件封装的方法，所述方法包括：

用密封材料至少部分地密封多个半导体芯片以形成密封主体，密封主体具有第一主表面和第二主表面；

在密封主体的第一主表面之上形成金属层和有机层中的至少一个层；

通过激光烧蚀去除金属层和有机层中的至少一个层的至少一个迹线；并且

将密封主体沿着至少一个迹线分离成多个半导体器件封装。

2.权利要求1所述的方法，其中密封主体包括第一区带和第二区带，第一区带包括密封材料，第二区带包括半导体材料，其中金属层和有机层中的至少一个层在第一区带和第二区带之上延伸，并且至少一个迹线在第一区带和第二区带之上延伸。

3.权利要求2所述的方法，其中第一区带和第二区带被并排地布置。

4.权利要求2所述的方法，其中第一区带和第二区带被一个在另一个之上地布置。

5.权利要求1所述的方法，进一步包括：在激光烧蚀前形成在金属层和有机层中的至少一个层之上延伸的第一电介质层。

6.权利要求1所述的方法，进一步包括：在激光烧蚀前形成在密封主体的第一主表面之上并且在金属层和有机层中的至少一个层之下延伸的第二电介质层。

7.权利要求1所述的方法，进一步包括：通过激光烧蚀去除金属层和有机层中的至少一个层的至少两个平行的迹线，其中密封主体沿着至少两个平行的迹线被分离。

8.权利要求1所述的方法，进一步包括：在用于激光烧蚀的相同的激光工作站中通过激光标记来标示半导体器件封装。

9.权利要求8所述的方法，其中激光标记在分离密封主体前被执行。

10.权利要求1所述的方法，进一步包括：在密封主体的第二主表面之上形成电再分布结构。

11.权利要求10所述的方法，进一步包括：当沿着至少一个迹线分离密封主体时划分电再分布结构。

12.一种激光加工包括含有多个半导体芯片的密封主体的层堆叠的方法，所述方法包括：

通过激光标记来标示要被分离出层堆叠的半导体器件封装；

通过激光烧蚀去除覆盖密封主体的金属层和有机层中的至少一个层的至少一个迹线，其中至少一个迹线对应于密封主体分离线，

其中激光标记和激光烧蚀在相同的工作站处被执行。

13.权利要求12所述的方法，其中激光标记和激光烧蚀通过使用相同的激光设备被执行。

14.一种半导体器件封装，包括：

密封剂，具有第一主表面和第二主表面；

半导体芯片，至少部分地嵌入在密封剂中；以及

金属层和有机层中的至少一个层，在密封剂的第一主表面之上延伸，

其中在半导体器件封装的拐角区处，密封剂的第一主表面没有金属层和有机层中的至少一个层。

15.权利要求14所述的半导体器件封装，其中在半导体器件封装的拐角区处，密封剂的第一主表面包含热影响的区带。

16.权利要求14所述的半导体器件封装，进一步包括：

半导体结构，至少部分地嵌入在密封剂中，半导体结构具有第一主表面和第二主表面，并且其中金属层和有机层中的至少一个层在半导体结构的第一主表面之上延伸，

其中在半导体器件封装的拐角区处，半导体结构的第一主表面没有金属层和有机层中的至少一个层。

17.权利要求16所述的半导体器件封装，其中在半导体器件封装的拐角区处，半导体结构的第一主表面包含热影响的区带。

18.权利要求14所述的半导体器件封装，进一步包括：多个半导体芯片，至少部分地嵌入在密封剂中。