[发明专利]一种硅太阳能电池的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种硅太阳能电池的制作方法。

背景技术

晶体硅太阳能电池是一种把光能直接转换成电能的半导体器件。对于整个晶体硅太阳能电池器件而言，结构和性能的体现都需要经过电极采样数据来实现，因此，在晶体硅太阳能电池制作工艺中，当形成PN结后，制备能够将采集的光电流导出的正面电极是该工艺中关键的步骤之一，并且正面电极的均匀性和导通性对产品的性能及成品率有很大影响。

晶体硅太阳能电池正面电极的制备方法可以分为电镀、溅射和丝网印刷。电镀方法制备的电极质量高，但是该方法成本高，并且制备速度慢，另外该方法在电镀过程中可能会使用一些有毒有害的物质，存在一定的安全和健康隐患。溅射方法制备的电极质量也较高，但是，与电镀方法相同，该方法的成本也较高，并且制备速度慢。与电镀和溅射方法相比，尽管丝网印刷方法具有设备简单，操作方便，成本低廉，安全无毒，易形成电极，以及能够得到良好的金属和半导体的欧姆接触，并且表面状态良好的优点。因此，目前工业界多采用丝网印刷方法制备晶体硅太阳能电池的正面电极。

丝网印刷工艺是在高温条件下将特定的金属材质固化，以形成金属半导体的欧姆接触。对于晶体硅太阳能电池的正面电极而言，现有丝网印刷工艺是用胶刮条刮抹印刷用电极浆料，使其透过不绣钢丝网网孔至硅片表面，然后通过烧结形成电极。目前，丝网印刷工艺中一般采用银浆作为晶体硅太阳能电池的正面电极浆料，烧结温度一般在850℃～900℃之间。该工艺存在如下缺点：(1)银作为贵金属，其价格昂贵，而且正面电极材料的用量很大，因此，采用该工艺制备晶体硅太阳能电池正面电极的成本很高；(2)该工艺中的烧结温度较高，存在易损伤硅片、引起产品翘曲度较大，以及能耗高等问题。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种硅太阳能电池的制作方法，该方法具有成本低，能够低温形成电极的优点。

本发明实现上述技术目的所采用的技术方案为：一种硅太阳能电池的制作方法，其特征是：包括以下步骤：

步骤1、制备复合浆料：在液态铟镓合金中混合固态铜粉，搅拌均匀后得到复合浆料；

步骤2、制备选择性发射极：在硅片正面电极区域进行激光开槽；

步骤3、丝网印刷正面电极：用高准丝网印刷工艺在开槽区域印刷步骤1得到的复合浆料；

步骤4、低温烧结：在温度为300℃～400℃下进行烧结，形成正面电极。

步骤5、形成背面电极：所述背面电极层至少一面形成有金属纳米颗粒层，所述金属纳米颗粒层中金属纳米颗粒的功函数值低于阴极电极层的功函数值。

上述复合浆料中，铜的质量百分含量优选为60％～90％。

上述复合浆料中，铜粉的纯度优选为99.99％。

上述复合浆料中，铜粉的粒径优选为2微米～20微米。

上述步骤1中，搅拌温度优选为160℃～220℃，搅拌时间优选为30分钟～300分钟。

上述步骤2中，激光功率优选为10W～20W。

本发明一种硅太阳能电池的制作方法采用低熔点铟镓合金和铜粉的混合物作为复合浆料，在硅片正面电极区域进行激光开槽制备选择性发射电极，然后用高准丝网印刷工艺将复合浆料印刷在开槽区域，最后在温度为300～400℃下进行低温烧结，形成正面电极。与现有技术相比，本发明的制作方法采用低熔点铟镓合金和铜粉的混合物作为电极材料，在保持现有电极材料-铜所具有的高导通性和低电阻率的同时，大大降低了成本；同时，通过低温烧结形成正面电极，克服了现有技术中存在的易损伤硅片、引起产品翘曲度较大，以及能耗高等问题。另外，为了解决铟镓铜合金和半导体的欧姆接触问题，本发明的制作方法用激光在需要印刷区域进行激光刻槽，形成选择性发射极，在铜粉混合铟镓的复合浆料固化后能在低温条件下与半导体形成欧姆接触。因此，本发明的制作方法能够提高产品质量，降低制造成本，在晶体硅太阳能电池领域具有重要的产业化前景。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1是本发明实施例1中硅片表面的激光开槽区域。

具体实施方式