[发明专利]一种涡旋壁氧化装置在审
| 申请号: | 201410667362.6 | 申请日: | 2014-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN104480504A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
| 发明(设计)人: | 陈胜鸿 | 申请(专利权)人: | 浙江西田机械有限公司 |
| 主分类号: | C25D5/02 | 分类号: | C25D5/02;C25D17/02 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 涡旋 氧化 装置 | ||
技术领域
本发明属于涡旋式压缩机的领域,具体涉及一种涡旋式压缩机的定涡旋盘硬化技术。
背景技术
涡旋式压缩机以其效率高、噪音低、体积小、有利于节能及保护环境等优点而广泛应用于工业、农业、交通运输等行业需要压缩空气的场合。
涡旋压缩机的工作原理是通过二组由具有盘体和涡旋壁的动涡旋盘与定涡旋盘相互啮合运动来实现对压缩介质的吸入、压缩和排出的。在涡旋压缩机工作过程中,定涡旋盘固定在机壳上,动涡旋盘在偏心驱动轴的带动下绕定涡旋盘中心做较小半径的旋转运动。压缩介质吸入后,随着偏心驱动轴的转动,压缩介质在由定涡旋盘和动涡旋盘的涡旋壁相互啮合形成的若干个月牙形压缩腔内被逐步压缩,压缩介质由低压腔向高压腔移动,最后从定涡旋盘中心的高压腔部分的排气孔排出。
由于定涡旋盘的涡旋壁经常承受较大的挤压,因此其相较定涡旋盘其他部件而言,需要更大的硬度用以抵抗因挤压导致的变形等问题。现有技术中,定涡旋盘的硬化技术通常是将定涡旋盘整个放入电解液进行氧化从而提高涡旋壁的整体硬度。然而,采用此种做法,在提高涡旋壁硬度的同时,由于定涡旋盘的其他不需氧化的部件亦会被氧化,进而影响到其他部件的性能,导致整个定涡旋盘不符合使用要求。
因此,在涡旋式压缩机行业中急需一种新型的涡旋壁氧化装置来解决现有技术中存在的问题。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足,本发明提供了一种涡旋壁氧化装置,包括:一定涡旋盘,其具有一从该定涡旋盘上表面朝向该定涡旋盘下表面轴向延伸的涡旋壁;一局部氧化工装,其相对于该定涡旋盘的外形开设有一内凹的容置空间,用以容置并对外封闭该定涡旋盘,其中,该容置空间具有一开口,该开口仅用以暴露出该涡旋壁。
在一较佳实施例中,该定涡旋盘进一步包括复数个卡槽,设置于该涡旋壁外侧,该局部氧化工装卡设于该些卡槽中。
在一较佳实施例中,该局部氧化工装进一步包括复数个密封凸台,该密封凸台对应该卡槽设置且与该卡槽相互嵌合,且该密封凸台与该卡槽为过盈配合。
在一较佳实施例中,该局部氧化工装包括一凹形框体及一设置于该凹形框体上方的端盖,其中该凹形框体用以容置该定涡旋盘;该端盖用以封闭该凹形框体,并对应该涡旋壁形成一开口,该开口仅用以暴露出该涡旋壁。
在一较佳实施例中,该局部氧化工装为弹性材料制成,且该凹形框体与该端盖为一体成型。
在一较佳实施例中,该端盖可拆卸式设置在该凹形框体上。
在一较佳实施例中,该端盖与该凹形框体通过螺丝固定。
在一较佳实施例中,进一步包括一氧化槽,该氧化槽中具有电解液,该电解液用以对容置在该局部氧化工装中的定涡旋盘的该涡旋壁进行氧化。
在一较佳实施例中,进一步包括一水冷却循环装置,用以对氧化过程中的定涡旋盘进行冷却降温。
在一较佳实施例中,该凹形框体上具有一进水口,一出水口,及一绕设在 该凹形框体内部的流道,该流道连通该进水口及该出水口。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
藉此,本实施发明藉由新型的涡旋壁氧化装置解决了现有技术中在氧化涡旋壁的同时,造成定涡旋盘的其他不需氧化的部件亦会被氧化的问题,在氧化涡旋壁,提高其硬度的同时亦保证了定涡旋盘其他部件的性能。
附图说明
图1为本发明之涡旋壁氧化装置的第一实施例的示意图;
图2为本发明之涡旋壁氧化装置的第二实施例的立体图;
图3为本发明之涡旋壁氧化装置的第二实施例的示意图;
具体实施例
在下文的细节描述中,组件符号会标示在随附的图示中成为其中的一部份,并且以可实行该实施例之特定范例描述方式来表示。这类实施例会说明足够的细节俾使该领域的一般技艺人士得以具以实施。阅者须了解到本发明中亦可利用其他的实施例或是在不悖离所述实施例的前提下作出结构性、逻辑性、及电性上的改变。因此,下文之细节描述将不欲被视为是一种限定,反之,其中所包含的实施例将由权利要求范围来加以界定。
首先请配合参照图1及图2,图1绘示出根据本发明之涡旋壁氧化装置的第一实施例的示意图,图2绘示出根据本发明之涡旋壁氧化装置的第一实施例的立体图;如图1所示,涡旋壁氧化装置1包括:一定涡旋盘20,其具有一从该定涡旋盘20上表面21朝向该定涡旋盘20下表面22轴向延伸的涡旋壁23。其 中涡旋壁23的制造方法为现有技术,在此不作赘述。
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